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Transistor (BJT) - diskret ON Semiconductor MJ11015G TO-3 1 PNP - Darlington

ON Semiconductor
Rated 5 out of 5 by 1 reviewer.
  • 2016-12-06 T06:26:02.926-06:00
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Bestell-Nr.: 151333 - 62
Teile-Nr.: MJ11015G |  EAN: 2050000013782
Transistor (BJT) - diskret ON Semiconductor MJ11015G TO-3 1 PNP - Darlington
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Darlington Transistor

Technische Daten

Typ
MJ11015G
Gehäuse
TO‑3
Hersteller
ON Semiconductor
Herst.-Abk.
OnS
Kategorie
Transistor (BJT) ‑ diskret
Kanäle
1
Ausführung
PNP ‑ Darlington
IC
‑30 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
‑120 V
VCE Sättigung (max.)
‑4 V
Kollektor Reststrom I(CES)
‑1 mA
Ptot
200 W
DC Stromverstärkung (hFE)
1000
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
‑20 A
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
‑5 V
Transitfrequenz f(T)
4 MHz
Montageart
Durchführungsloch
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

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