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Transistor (BJT) - diskret ON Semiconductor MJ11016G TO-3 1 NPN - Darlington

ON Semiconductor
Bestell-Nr.: 151307 - 62
Teile-Nr.: MJ11016G |  EAN: 2050000013713
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5,06 €
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Online verfügbar Lieferung: 19.12 bis 20.12.2017
  • Typ: MJ11016G
  • Gehäuse: TO-3
  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Herst.-Abk.: OnS
  • Kategorie: Transistor (BJT) - diskret

Darlington Leistungstransistor

Technische Daten

Typ
MJ11016G
Gehäuse
TO-3
Hersteller
ON Semiconductor
Herst.-Abk.
OnS
Kategorie
Transistor (BJT) - diskret
Kanäle
1
Ausführung
NPN - Darlington
IC
30 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
120 V
VCE Sättigung (max.)
4 V
Kollektor Reststrom I(CES)
1 mA
Ptot
200 W
DC Stromverstärkung (hFE)
1000
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
20 A
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
5 V
Transitfrequenz f(T)
4 MHz
Montageart
Durchführungsloch

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