JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Transistor (BJT) - diskret STMicroelectronics TIP112 TO-220AB 1 NPN - Darlington

STMicroelectronics
Bestell-Nr.: 150900 - 62
Teile-Nr.: TIP112 |  EAN: 2050000011894
Abbildung ähnlich
0,36 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand
Online verfügbar Lieferung: 09.12 bis 10.12.2016 oder garantiert am nächsten Werktag bei Auswahl der 24h-Express-Lieferung (zzgl. 8,95 Euro) innerhalb 4 Stunden 36 Minuten

Darlington Leistungstransistor

Technische Daten

Typ
TIP112
Gehäuse
TO‑220AB
Hersteller
STMicroelectronics
Herst.-Abk.
STM
Kategorie
Transistor (BJT) ‑ diskret
Kanäle
1
Ausführung
NPN ‑ Darlington
IC
2 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
100 V
VCE Sättigung (max.)
2.5 V
Kollektor Reststrom I(CES)
2 mA
Ptot
2 W
DC Stromverstärkung (hFE)
1000
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
1 A
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
4 V
Montageart
Durchführungsloch
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Beschreibung

Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
Kunden suchen auch nach
Transfer Resistor, Darlington-Transistor, Bipolartransistor, IGBT, TIP112, npn, transistor treiber ic, Transistor, pnp, 497-2533-5-ND, tran-sistor, Germanium-transistor, isolated gate bipolar transistor, STMicroelectronics, el transistor, bipolar-transisrtor, selen-Transistor, silizium-transistor