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Transistor (BJT) - diskret Toshiba S2000N TO-3PIS 1 NPN

Toshiba
Bestell-Nr.: 168840 - 62
Teile-Nr.: S2000N |  EAN: 2050000055720
  • Transistor (BJT) - diskret Toshiba S2000N TO-3PIS 1 NPN
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  • Typ: S2000N
  • Gehäuse: TO-3PIS
  • Hersteller: Toshiba
  • Kategorie: Transistor (BJT) - diskret
  • Kanäle: 1

Darlington Leistungstransistor

Technische Daten

Typ
S2000N
Gehäuse
TO-3PIS
Hersteller
Toshiba
Kategorie
Transistor (BJT) - diskret
Kanäle
1
Ausführung
NPN
IC
8 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
5 V
VCE Sättigung (max.)
5 V
Ptot
50 W
DC Stromverstärkung (hFE)
30
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
1 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
5 V
Transitfrequenz f(T)
2 MHz
Montageart
Durchführungsloch

Dokumente & Downloads

Beschreibung

Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = FRE.