JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Transistor (BJT) - diskret Toshiba S2000N TO-3PIS 1 NPN

Toshiba
Bestell-Nr.: 168840 - 62
Teile-Nr.: S2000N |  EAN: 2050000055720
Transistor (BJT) - diskret Toshiba S2000N TO-3PIS 1 NPN
1,33 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

Darlington Leistungstransistor

Technische Daten

Typ
S2000N
Gehäuse
TO‑3PIS
Hersteller
Toshiba
Kategorie
Transistor (BJT) ‑ diskret
Kanäle
1
Ausführung
NPN
IC
8 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
5 V
VCE Sättigung (max.)
5 V
Ptot
50 W
DC Stromverstärkung (hFE)
30
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
1 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
5 V
Transitfrequenz f(T)
2 MHz
Montageart
Durchführungsloch
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Beschreibung

Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = FRE.
Kunden suchen auch nach
Transfer Resistor, Darlington-Transistor, Bipolartransistor, S2000N, IGBT, npn, transistor treiber ic, Transistor, pnp, tran-sistor, Germanium-transistor, isolated gate bipolar transistor, el transistor, bipolar-transisrtor, selen-Transistor, Toshiba, silizium-transistor