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Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung nexperia PDTD123YT,215 TO-236-3 1 NPN - vorgespannt

nexperia
Bestell-Nr.: 1113326 - 62
Teile-Nr.: PDTD123YT,215 |  EAN: 2050003469944
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  • Typ: PDTD123YT,215
  • Gehäuse: TO-236-3
  • Hersteller: nexperia
  • Herst.-Abk.: NEX
  • Kategorie: Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung

Transistor

Technische Daten

Typ
PDTD123YT,215
Gehäuse
TO-236-3
Hersteller
nexperia
Herst.-Abk.
NEX
Kategorie
Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung
Kanäle
1
Ausführung
NPN - vorgespannt
IC
500 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
50 V
VCE Sättigung (max.)
300 mV
Kollektor Reststrom I(CES)
500 nA
Ptot
250 mW
DC Stromverstärkung (hFE)
70
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
50 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
5 V
Widerstand R(1)
2.2 kΩ
Widerstand R(2)
10 kΩ
Montageart
Oberflächenmontage

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