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Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung NXP Semiconductors PBRN113ET,215 TO-236-3 1 NPN - vorgespannt

NXP Semiconductors
Bestell-Nr.: 1113339 - 62
Teile-Nr.: PBRN113ET,215 |  EAN: 2050003470070
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  • Typ: PBRN113ET,215
  • Gehäuse: TO-236-3
  • Hersteller: NXP Semiconductors
  • Herst.-Abk.: NXP
  • Kategorie: Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung

Transistor

Technische Daten

Typ
PBRN113ET,215
Gehäuse
TO-236-3
Hersteller
NXP Semiconductors
Herst.-Abk.
NXP
Kategorie
Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung
Kanäle
1
Ausführung
NPN - vorgespannt
IC
600 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
40 V
VCE Sättigung (max.)
1.15 V
Kollektor Reststrom I(CES)
500 nA
Ptot
250 mW
DC Stromverstärkung (hFE)
180
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
300 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
5 V
Widerstand R(1)
1 kΩ
Widerstand R(2)
1 kΩ
Montageart
Oberflächenmontage

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