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Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung NXP Semiconductors PDTA115ET,215 TO-236-3 1 PNP - vorgespannt

NXP Semiconductors
Bestell-Nr.: 1113354 - 62
Teile-Nr.: PDTA115ET,215 |  EAN: 2050003470223
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  • Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung NXP Semiconductors PDTA115ET,215 TO-236-3 1 PNP - vorgespannt
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  • Typ: PDTA115ET,215
  • Gehäuse: TO-236-3
  • Hersteller: NXP Semiconductors
  • Herst.-Abk.: NXP
  • Kategorie: Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung

Transistor

Technische Daten

Typ
PDTA115ET,215
Gehäuse
TO-236-3
Hersteller
NXP Semiconductors
Herst.-Abk.
NXP
Kategorie
Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung
Kanäle
1
Ausführung
PNP - vorgespannt
IC
-20 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-50 V
VCE Sättigung (max.)
-150 mV
Kollektor Reststrom I(CES)
-100 nA
Ptot
250 mW
DC Stromverstärkung (hFE)
80
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
-5 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
-5 V
Widerstand R(1)
100 kΩ
Widerstand R(2)
100 kΩ
Montageart
Oberflächenmontage

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