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Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung ROHM Semiconductor DTB113ZKT146 TO-236-3 1 PNP - vorgespannt

ROHM Semiconductor
Bestell-Nr.: 140519 - 62
Teile-Nr.: DTB113ZKT146 |  EAN: 2050001281715
  • Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung ROHM Semiconductor DTB113ZKT146 TO-236-3 1 PNP - vorgespannt
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  • Typ: DTB113ZKT146
  • Gehäuse: TO-236-3
  • Hersteller: ROHM Semiconductor
  • Herst.-Abk.: ROH
  • Kategorie: Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung

Transistor bipolar

Technische Daten

Typ
DTB113ZKT146
Gehäuse
TO-236-3
Hersteller
ROHM Semiconductor
Herst.-Abk.
ROH
Kategorie
Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung
Kanäle
1
Ausführung
PNP - vorgespannt
IC
-500 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-50 V
VCE Sättigung (max.)
-300 mV
Kollektor Reststrom I(CES)
-500 nA
Ptot
200 mW
DC Stromverstärkung (hFE)
56
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
-50 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
-5 V
Transitfrequenz f(T)
200 MHz
Widerstand R(1)
1 kΩ
Widerstand R(2)
10 kΩ
Montageart
Oberflächenmontage

Dokumente & Downloads

Beschreibung

Digital Transitor PNP mit BIAS Widerstand.
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