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Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung ROHM Semiconductor DTC144EKAT146 TO-236-3 1 NPN - vorgespannt

ROHM Semiconductor
Bestell-Nr.: 140529 - 62
Teile-Nr.: DTC144EKAT146 |  EAN: 2050001281807
  • Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung ROHM Semiconductor DTC144EKAT146 TO-236-3 1 NPN - vorgespannt
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  • Typ: DTC144EKAT146
  • Gehäuse: TO-236-3
  • Hersteller: ROHM Semiconductor
  • Herst.-Abk.: ROH
  • Kategorie: Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung

Transistor bipolar

Technische Daten

Typ
DTC144EKAT146
Gehäuse
TO-236-3
Hersteller
ROHM Semiconductor
Herst.-Abk.
ROH
Kategorie
Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung
Kanäle
1
Ausführung
NPN - vorgespannt
IC
100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
50 V
VCE Sättigung (max.)
300 mV
Kollektor Reststrom I(CES)
500 nA
Ptot
200 mW
DC Stromverstärkung (hFE)
68
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
5 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
5 V
Transitfrequenz f(T)
250 MHz
Widerstand R(1)
47 kΩ
Widerstand R(2)
47 kΩ
Montageart
Oberflächenmontage

Dokumente & Downloads

Beschreibung

Digital Transistor NPN mit BIAS Widerstand.
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