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Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung ROHM Semiconductor DTD143ECT216 TO-236-3 1 NPN - vorgespannt

ROHM Semiconductor
Bestell-Nr.: 140532 - 62
Teile-Nr.: DTD143ECT216 |  EAN: 2050001281838
Transistor (BJT) - diskret, Vorspannung ROHM Semiconductor DTD143ECT216 TO-236-3 1 NPN - vorgespannt
0,07 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

Transistor bipolar

Technische Daten

Typ
DTD143ECT216
Gehäuse
TO‑236‑3
Hersteller
ROHM Semiconductor
Herst.-Abk.
ROH
Kategorie
Transistor (BJT) ‑ diskret, Vorspannung
Kanäle
1
Ausführung
NPN ‑ vorgespannt
IC
500 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
50 V
VCE Sättigung (max.)
300 mV
Kollektor Reststrom I(CES)
500 nA
Ptot
200 mW
DC Stromverstärkung (hFE)
47
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
50 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
5 V
Transitfrequenz f(T)
200 MHz
Widerstand R(1)
4.7 kΩ
Widerstand R(2)
4.7 kΩ
Montageart
Oberflächenmontage

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Beschreibung

Digital Transistor NPN mit BIAS Widerstand.
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