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Z-Diode C8,2V ZB Gehäuseart (Halbleiter) SOD-110 NXP Semiconductors Zener-Spannung 8.2 V Leistung (max) P(TOT) 400 mW

NXP Semiconductors
Bestell-Nr.: 148466 - 62
Teile-Nr.: C8,2V ZB |  EAN: 2050000007187
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Online verfügbar Lieferung: 25.07 bis 26.07.2017
  • Typ: C8,2V ZB
  • Hersteller: NXP Semiconductors
  • Herst.-Abk.: NXP
  • Kategorie: Z-Diode
  • Z.-Spg. (UZ ): 8.2 V

Zener-Diode Typ BZX 284 C

Technische Daten

Typ
C8,2V ZB
Hersteller
NXP Semiconductors
Herst.-Abk.
NXP
Kategorie
Z-Diode
Z.-Spg. (UZ )
8.2 V
Z.-Spg. Toleranz
+5 %
-5 %
Ptot
400 mW
Impedanz
6 Ω
Impedanz Referenz
5 mA
UF
0.9 V
Durchlassspannung Referenz
10 mA
Betriebstemperatur (min.)
-65 °C
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Konfiguration
einfache Diode
Rest-Sperrstrom
700 µA
Z.-Spg. max.
8.7 V
Z.-Spg. min.
7.7 V
Gehäuse
SOD-110
Montageart
Oberflächenmontage

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Beschreibung

Keramikgehäuse.
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