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Z-Diode PTZTE255.6B Gehäuseart (Halbleiter) SOD-106 ROHM Semiconductor Zener-Spannung 5.856 V Leistung max. P(tot) 1000 mW

ROHM Semiconductor
Bestell-Nr.: 140644 - 62
Teile-Nr.: PTZTE255.6B |  EAN: 2050001282842
Z-Diode PTZTE255.6B Gehäuseart (Halbleiter) SOD-106 ROHM Semiconductor Zener-Spannung 5.856 V Leistung max. P(tot) 1000 mW
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Z-Diode

Technische Daten

Typ
PTZTE255.6B
Hersteller
ROHM Semiconductor
Herst.-Abk.
ROH
Kategorie
Z‑Diode
Z.-Spg. (UZ )
5.856 V
Z.-Spg. Toleranz
+6 %
‑6 %
Ptot
1000 mW
Impedanz
8 Ω
Impedanz Referenz
40 mA
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Konfiguration
einfache Diode
Rest-Sperrstrom
20 µA
Z.-Spg. max.
6.3 V
Z.-Spg. min.
5.6 V
Gehäuse
SOD‑106
Montageart
Oberflächenmontage

Dokumente & Downloads

Technische Daten

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