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Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-Kanal 360 mW TO-236-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 153060 - 62
Teile-Nr.: BSS84P |  EAN: 2050000020520
  • Abbildung ähnlich
  • Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-Kanal 360 mW TO-236-3

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  • Typ: BSS84P
  • Gehäuse: TO-236-3
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: P-Kanal
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Kleinsignal-Transistor

Technische Daten

Typ
BSS84P
Gehäuse
TO-236-3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
P-Kanal
I(d)
170 mA
U
60 V
Ptot
360 mW
R(DS)(on)
8 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom
170 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
20 µA
Q(G)
1.5 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
19 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
SIPMOS®
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
60 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
RoHS-konform
Ja

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