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Infineon Technologies IRFD014PBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W HEXDIP

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162579 - 62
Teile-Nr.: IRFD014PBF |  EAN: 2050000042379

RoHS konform

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  • Typ: IRFD014PBF
  • Gehäuse: HEXDIP
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal
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MOSFET

Technische Daten

Typ
IRFD014PBF
Gehäuse
HEXDIP
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
1.7 A
U
60 V
Ptot
1.3 W
RDS(on)
200 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
1 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
11 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
310 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
60 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
RoHS-konform
Ja

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Technische Daten

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