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MOSFET DIODES Incorporated 2N7002-7-F 1 N-Kanal 370 mW SOT-23-3

DIODES Incorporated
Bestell-Nr.: 558300 - 62
Teile-Nr.: 2N7002-7-F |  EAN: 2050003195195
Abbildung ähnlich
0,23 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
2N7002‑7‑F
Gehäuse
SOT‑23‑3
Hersteller
DIODES Incorporated
Herst.-Abk.
DIn
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
115 mA
U
60 V
Ptot
370 mW
R(DS)(on)
7.5 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom
50 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung
5 V
U(GS)(th) max.
2.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
C(ISS)
50 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
60 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Kunden suchen auch nach
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