JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies BF998 1 N-Kanal 200 mW TO-253-4

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 153029 - 62
Teile-Nr.: BF998 |  EAN: 2050000020315
Abbildung ähnlich
0,20 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET-Tetrode

Technische Daten

Typ
BF998
Gehäuse
TO‑253‑4
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
30 mA
U
12 V
Ptot
200 mW
U(GS)(th) max.
12 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
10 mA
C(ISS)
2.5 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
8 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
U(DSS)
12 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Beschreibung

MOSFET-Tetrode (8 mm-Gurt) .
Kunden suchen auch nach
transistor MOS, BF998, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, BF998INCT-ND, gate, Feldeffekt-transistor, Junction fet, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, Infineon Technologies, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Ähnliche Produkte
{{#if user.profile.0.profileInfo.b2B}} *zzgl. gesetzl. MwSt, zzgl. Versand {{else}} *inkl. MwSt, zzgl. Versand {{/if}}
Zubehör gleich mitbestellen