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MOSFET Infineon Technologies BF999 1 N-Kanal 200 mW TO-236-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 153042 - 62
Teile-Nr.: BF999 |  EAN: 2050000020407
  • Abbildung ähnlich
  • MOSFET Infineon Technologies BF999 1 N-Kanal 200 mW TO-236-3
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  • Typ: BF999
  • Gehäuse: TO-236-3
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal
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MOSFET-Tetrode

Technische Daten

Typ
BF999
Gehäuse
TO-236-3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
30 mA
U
20 V
Ptot
200 mW
U(GS)(th) max.
12 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
10 mA
C(ISS)
2.5 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
10 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
U(DSS)
20 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Beschreibung

MOSFET-Tetrode (8 mm-Gurt) .
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