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MOSFET Infineon Technologies BSS123NH 1 N-Kanal 500 mW TO-236-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 152902 - 62
Teile-Nr.: BSS123NH |  EAN: 2050000019296
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Kleinsignal-Transistor

Technische Daten

Typ
BSS123NH
Gehäuse
TO‑236‑3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
190 mA
U
100 V
Ptot
500 mW
R(DS)(on)
6 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom
190 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
1.8 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
13 µA
Q(G)
0.9 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
20.9 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
OptiMOS™
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
100 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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Technische Daten

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