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MOSFET Infineon Technologies IRF1018EPBF 1 N-Kanal 110 W TO-220AB

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 160859 - 62
Teile-Nr.: IRF1018EPBF |  EAN: 2050001539861
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  • MOSFET Infineon Technologies IRF1018EPBF 1 N-Kanal 110 W TO-220AB
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Online verfügbar Lieferung: 28.04 bis 30.04.2018
  • Typ: IRF1018EPBF
  • Gehäuse: TO-220AB
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal

Transistor unipolar (MOSFET)

Technische Daten

Typ
IRF1018EPBF
Gehäuse
TO-220AB
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
79 A
U
60 V
Ptot
110 W
R(DS)(on)
8.4 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
47 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
100 µA
Q(G)
69 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
2290 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
50 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
60 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
RoHS-konform
Ja

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