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MOSFET Infineon Technologies IRF1404ZPBF 1 N-Kanal 200 W TO-220AB

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 164331 - 62
Teile-Nr.: IRF1404ZPBF |  EAN: 2050000052903
Abbildung ähnlich
1,89 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Technische Daten

Typ
IRF1404ZPBF
Gehäuse
TO‑220AB
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
75 A
U
40 V
Ptot
200 W
R(DS)(on)
3.7 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
75 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
150 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
4340 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
40 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Kunden suchen auch nach
transistor MOS, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, IRF1404ZPBF, IRF1404ZPBF-ND, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, International Rectifier, Junction fet, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, Infineon Technologies, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
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