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MOSFET Infineon Technologies IRF630N 1 N-Kanal 82 W TO-263-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162421 - 62
Teile-Nr.: IRF630N |  EAN: 2050000041129
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  • MOSFET Infineon Technologies IRF630N 1 N-Kanal 82 W TO-263-3
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  • Typ: IRF630N
  • Gehäuse: TO-263-3
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal
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MOSFET (HEXFET /FETKY)

Technische Daten

Typ
IRF630N
Gehäuse
TO-263-3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
9.3 A
U
200 V
Ptot
82 W
R(DS)(on)
300 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
5.4 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
35 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
575 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
200 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
RoHS-konform
Ja

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Beschreibung

Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter oder Analogverstärker. Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
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