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MOSFET Infineon Technologies IRF7319 1 N-Kanal, P-Kanal 2 W SOIC-8

Infineon Technologies
MOSFET Infineon Technologies IRF7319 1 N-Kanal, P-Kanal 2 W SOIC-8 is rated 5.0 out of 5 by 1.
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Bestell-Nr.: 162456 - 62
Teile-Nr.: IRF7319 |  EAN: 2050000041440
  • Abbildung ähnlich
  • MOSFET Infineon Technologies IRF7319 1 N-Kanal, P-Kanal 2 W SOIC-8
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  • Typ: IRF7319
  • Gehäuse: SOIC-8
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal , P-Kanal

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Technische Daten

Typ
IRF7319
Gehäuse
SOIC-8
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
P-Kanal
U
30 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
29 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
5.8 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
33 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
650 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
30 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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Technische Daten

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Rated 5 out of 5 by from Guter Artikel Dieser MOS-FET zeichnet sich durch eine besonders geringe Gate-Source Spannung aus. Dadurch schaltet er schon bei sehr geringen Spannungen durch und eignet sich daher hervorragend als Teil einer aktiven Gleichrichtung. Ich bin sehr froh, dass ich diesen Transistor nun auch bei Conrad kaufen kann.
Date published: 2014-06-29
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