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MOSFET Infineon Technologies IRF7319 1 N-Kanal, P-Kanal 2 W SOIC-8

Infineon Technologies
Rated 5 out of 5��by 1 reviewer.
Bestell-Nr.: 162456 - 62
Teile-Nr.: IRF7319 |  EAN: 2050000041440
Abbildung ähnlich
0,62 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Technische Daten

Typ
IRF7319
Gehäuse
SOIC‑8
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
P‑Kanal
U
30 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
29 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
5.8 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
33 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
650 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
30 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Kunden suchen auch nach
transistor MOS, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, IRF7319PBF-ND, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, International Rectifier, Junction fet, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, Infineon Technologies, IRF7319, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
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Rated 5 out of 5��by Guter Artikel Dieser MOS-FET zeichnet sich durch eine besonders geringe Gate-Source Spannung aus. Dadurch schaltet er schon bei sehr geringen Spannungen durch und eignet sich daher hervorragend als Teil einer aktiven Gleichrichtung. Ich bin sehr froh, dass ich diesen Transistor nun auch bei Conrad kaufen kann. 29. Juni 2014
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