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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRF7343 1 N-Kanal, P-Kanal 2 W SOIC-8

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162459 - 62
Teile-Nr.: IRF7343 |  EAN: 2050000041471
  • Abbildung ähnlich
  • MOSFET Infineon Technologies IRF7343 1 N-Kanal, P-Kanal 2 W SOIC-8
0,45 €
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Online verfügbar Lieferung: 16.12 bis 18.12.2017
  • Typ: IRF7343
  • Gehäuse: SOIC-8
  • Hersteller: Infineon Technologies
  • Herst.-Abk.: INF
  • Ausführung: N-Kanal , P-Kanal

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Technische Daten

Typ
IRF7343
Gehäuse
SOIC-8
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
P-Kanal
I(d)
4.7 A
3.4 A
U
55 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
50 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
4.7 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
36 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
740 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
55 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

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Technische Daten

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