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MOSFET Infineon Technologies IRF7343 1 N-Kanal, P-Kanal 2 W SOIC-8

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162459 - 62
Teile-Nr.: IRF7343 |  EAN: 2050000041471
Abbildung ähnlich
0,45 €
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MOSFET (HEXFET/FETKY)

Technische Daten

Typ
IRF7343
Gehäuse
SOIC‑8
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
P‑Kanal
I(d)
4.7 A
3.4 A
U
55 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
50 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
4.7 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
36 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
740 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
55 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

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