JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRF7459 1 N-Kanal 2.5 W SO-8

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162484 - 62
Teile-Nr.: IRF7459 |  EAN: 2050000041709
Abbildung ähnlich
MOSFET Infineon Technologies IRF7459 1 N-Kanal 2.5 W SO-8
0,91 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand
Online verfügbar Lieferung: 01.07 bis 03.07.2017

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Technische Daten

Typ
IRF7459
Gehäuse
SO-8
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N-Kanal
I(d)
12 A
U
20 V
Ptot
2.5 W
R(DS)(on)
9 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
12 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
35 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
2480 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
10 V
Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
20 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Zubehör gleich mitbestellen