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MOSFET Infineon Technologies IRF9Z34N 1 P-Kanal 3.8 W TO-263-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162551 - 62
Teile-Nr.: IRF9Z34N |  EAN: 2050000042102
Abbildung ähnlich
0,82 €
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Power MOSFET, P-Kanal

Technische Daten

Typ
IRF9Z34N
Gehäuse
TO‑263‑3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
P‑Kanal
I(d)
19 A
U
55 V
Ptot
3.8 W
R(DS)(on)
100 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
10 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
35 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
620 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Serie
HEXFET®
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
55 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

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