JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFP2907PBF 1 N-Kanal 470 W TO-247-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564060 - 62
Teile-Nr.: IRFP2907PBF |  EAN: 2050003203494
Abbildung ähnlich
10,45 €
Sie sparen 1,56 €
8,89 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
IRFP2907PBF
Gehäuse
TO‑247‑3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
209 A
U
75 V
Ptot
470 W
R(DS)(on)
4.5 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
125 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
620 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
13000 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
75 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Kunden suchen auch nach
transistor MOS, anreicherungstyp, IRFP2907PBF-ND, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, IRFP2907PBF, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, International Rectifier, Junction fet, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, Infineon Technologies, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Ähnliche Produkte
Zubehör gleich mitbestellen