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MOSFET Infineon Technologies IRFP3710PBF 1 N-Kanal 200 W TO-247-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162653 - 62
Teile-Nr.: IRFP3710PBF |  EAN: 2050000042997
Abbildung ähnlich
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MOSFET (HEXFET/FETKY)

Technische Daten

Typ
IRFP3710PBF
Gehäuse
TO‑247‑3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
57 A
U
100 V
Ptot
200 W
R(DS)(on)
25 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
28 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
190 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
3000 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
100 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Beschreibung

Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter oder Analogverstärker. Dieser Transistor ist µC-, TTL- und CMOS-kompatibel. Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
Kunden suchen auch nach
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