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MOSFET Infineon Technologies IRFP90N20DPBF 1 N-Kanal 580 W TO-247-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564074 - 62
Teile-Nr.: IRFP90N20DPBF |  EAN: 2050003203616
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MOSFET

Technische Daten

Typ
IRFP90N20DPBF
Gehäuse
TO‑247‑3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
94 A
U
200 V
Ptot
580 W
R(DS)(on)
23 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
56 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
270 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
6040 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
200 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Kunden suchen auch nach
IRFP90N20DPBF-ND, transistor MOS, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, International Rectifier, Junction fet, source, IRFP90N20DPBF, selbstleitend, transistor à effet de champ, Infineon Technologies, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
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