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MOSFET Infineon Technologies IRFU9024NPBF 1 P-Kanal 38 W I-PAK

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162730 - 62
Teile-Nr.: IRFU9024NPBF |  EAN: 2050000043642
Abbildung ähnlich
0,57 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

HEXFET/FETKY

Technische Daten

Typ
IRFU9024NPBF
Gehäuse
I‑PAK
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
P‑Kanal
I(d)
11 A
U
55 V
Ptot
38 W
R(DS)(on)
175 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
6.6 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
19 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
350 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
55 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

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IRFU9024NPBF-ND, transistor MOS, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, IRFU9024NPBF, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, International Rectifier, Junction fet, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, Infineon Technologies, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet