JavaScript deaktiviert! Das Abschicken einer Bestellung ist bei deaktiviertem JavaScript leider NICHT möglich!
Es stehen Ihnen nicht alle Shopfunktionalitäten zur Verfügung. Bitte kontrollieren Sie Ihre Interneteinstellungen. Für ein optimales Einkaufserlebnis empfehlen wir, JavaScript zu aktivieren. Bei Fragen: webmaster@conrad.de
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRL530NPBF 1 N-Kanal 79 W TO-220

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162795 - 62
Teile-Nr.: IRL530NPBF |  EAN: 2050000044151
Abbildung ähnlich
0,66 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand
Auf Lager Lieferung: 27.09 bis 28.09.2016 oder garantiert am nächsten Werktag bei Auswahl der 24h-Express-Lieferung (zzgl. 8,95 Euro) innerhalb 1 Stunde 8 Minuten

MOSFET

Technische Daten

Typ
IRL530NPBF
Gehäuse
TO‑220
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
17 A
U
100 V
Ptot
79 W
R(DS)(on)
100 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
9 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
34 nC
Q(G) Referenz-Spannung
5 V
C(ISS)
800 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
100 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Kunden suchen auch nach
transistor MOS, anreicherungstyp, IRL530NPBF-ND, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, International Rectifier, Junction fet, source, selbstleitend, transistor à effet de champ, IRL530NPBF, Infineon Technologies, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Ähnliche Produkte
{{#if user.profile.0.profileInfo.b2B}} *zzgl. gesetzl. MwSt, zzgl. Versand {{else}} *inkl. MwSt, zzgl. Versand {{/if}}