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{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRLR3636PBF 1 N-Kanal 143 W TO-252-3

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 564193 - 62
Teile-Nr.: IRLR3636PBF |  EAN: 2050003204750
Abbildung ähnlich
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MOSFET

Technische Daten

Typ
IRLR3636PBF
Gehäuse
TO‑252‑3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
3 A
U
60 V
Ptot
143 W
R(DS)(on)
6.8 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
50 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2.5 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
100 µA
Q(G)
49 nC
Q(G) Referenz-Spannung
4.5 V
C(ISS)
3779 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
50 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Oberflächenmontage
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
60 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1

Dokumente & Downloads

Technische Daten

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