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MOSFET Infineon Technologies IRLZ24NPBF 1 HEXFET 45 W TO-220

Infineon Technologies
Bestell-Nr.: 162869 - 62
Teile-Nr.: IRLZ24NPBF |  EAN: 2050000044731
Abbildung ähnlich
0,42 €
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MOSFET

Technische Daten

Typ
IRLZ24NPBF
Gehäuse
TO‑220
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
HEXFET
I(d)
18 A
U
55 V
Ptot
45 W
R(DS)(on)
60 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
11 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
15 nC
Q(G) Referenz-Spannung
5 V
C(ISS)
480 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
55 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Kunden suchen auch nach
transistor MOS, anreicherungstyp, IRLZ24NPBF-ND, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, International Rectifier, Junction fet, source, selbstleitend, IRLZ24NPBF, transistor à effet de champ, Infineon Technologies, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
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