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MOSFET Infineon Technologies IRLZ34NPBF 1 HEXFET 68 W TO-220

Infineon Technologies
Rated 5 out of 5 by 1 reviewer.
  • 2016-12-02 T07:22:41.926-06:00
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  • loc_en_US, sid_162873, prod, sort_default
Bestell-Nr.: 162873 - 62
Teile-Nr.: IRLZ34NPBF |  EAN: 2050000044755
Abbildung ähnlich
0,82 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET

Technische Daten

Typ
IRLZ34NPBF
Gehäuse
TO‑220
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Ausführung
HEXFET
I(d)
30 A
U
55 V
Ptot
68 W
R(DS)(on)
35 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
16 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
2 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
25 nC
Q(G) Referenz-Spannung
5 V
C(ISS)
880 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Serie
HEXFET®
Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
U(DSS)
55 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Kunden suchen auch nach
transistor MOS, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, IRLZ34NPBF, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, International Rectifier, Junction fet, source, selbstleitend, IRLZ34NPBF-ND, transistor à effet de champ, Infineon Technologies, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
Rated 5 out of 5 by Für den Digitalbereich gut einsetzbar Dieser Transistor hat den Vorteil, dass er schon beim CMOS OUT HIGH Logiklevel (mind. 2.4 V) voll durchschaltet. Andere MOSFETS (z. B. der BUZ11) brauchen da schon 3 V oder mehr, daher können diese nicht mehr zuverlässig im (3.3V) Digitalbereich mit HIGH durchgeschalten werden. Ansonsten ist eine Gesamtbewertung von 1-5 schwer, ob die anderen elektrischen Eigenschaften für den jeweiligen Einsatz von Vorteil sind, muss jeder selbst entscheiden. 24. August 2016
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