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MOSFET Vishay IRFB11N50APBF 1 N-Kanal 170 W TO-220

Vishay
Bestell-Nr.: 162553 - 62
Teile-Nr.: IRFB11N50APBF |  EAN: 2050000042126
Abbildung ähnlich
1,93 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

MOSFET (HEXFET)

Technische Daten

Typ
IRFB11N50APBF
Gehäuse
TO‑220
Hersteller
Vishay
Herst.-Abk.
VIS
Ausführung
N‑Kanal
I(d)
11 A
U
500 V
Ptot
170 W
R(DS)(on)
520 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom
6.6 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
Q(G)
52 nC
Q(G) Referenz-Spannung
10 V
C(ISS)
1423 pF
C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
Betriebstemperatur (min.)
‑55 °C
Montageart
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
Transistor-Merkmal
Standard
U(DSS)
500 V
Kategorie
MOSFET
Kanäle
1
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Kunden suchen auch nach
IRFB11N50APBF-ND, transistor MOS, Vishay, anreicherungstyp, metal oxide semiconductor, field-effect transistor, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, unipolartransistor, MOSFET, selbstsperrend, drain, FET, gate, Feldeffekt-transistor, Junction fet, source, selbstleitend, IRFB11N50APBF, transistor à effet de champ, verarmungstyp, unipolar transistor, fieldeffect-transistor, mos-fet
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