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- MOSFET1030IGBT2MOSFET/IGBT-Set1Transistor - JFET1
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- Infineon Technologies398Vishay165Diotec130Taiwan Semiconductor92STMicroelectronics91ON Semiconductor73Littelfuse68Toshiba27DIODES Incorporated16Fuji Electronique8IXYS7NEC7Unisonic Technologies7Nexperia5Hottech Semiconductor3MCC3Renesas3Belimo2CDIL2Hitachi2Sanyo2SHINDENGEN2Siemens2Brinkmann & Wecker Werkzeugtechnik1Fairchild Semiconductor1Helios Ventilatoren1ifm Electronic1International Rectifier1ITT Semiconductor1Jungheinrich1Kemo1Kerkmann1LRC1Mepatronik1NXP Semiconductors1Papstar1RFT1Texas Instruments1
- Leistung (max) P(TOT)
- 100 mW1150 mW10.2 W5200 mW2225 mW40.25 W4250 mW20.275 W1300 mW30.31 W10.35 W9350 mW70.36 W7360 mW7400 mW30.4 W10.41 W10.5 W5500 mW10.53 W1540 mW2700 mW1710 mW10.75 W1800 mW10.83 W2830 mW20.9 W1900 mW10.96 W11 W51.0 W11.1 W11.25 W111.3 W121.4 W51.5 W61.56 W11.6 W21.7 W31.78 W11.8 W101.9 W12.0 W162 W102.1 W52.3 W12.4 W12.5 W202.8 W13 W43.1 W63.75 W13.8 W54 W34.2 W25 W85.7 W26 W36.3 W16.6 W17.8 W18 W210.8 W113 W114 W116 W317 W120 W321 W122 W122.7 W224 W125 W2728 W329 W129.7 W230 W531 W532 W134 W335 W735.7 W236 W238 W339 W240 W1441 W141.67 W141.7 W142 W1143 W544 W145 W1846 W348 W848.3 W250 W1051 W252 W354 W560 W762 W262.5 W263 W166 W368 W969 W270 W571 W374 W1075 W978 W179 W680 W682 W383 W585 W186 W188 W390 W691 W192 W194 W395 W298 W199 W3100 W9101 W1107 W2110 W28115 W2120 W5123 W1125 W31128 W1130 W11131 W1135 W2140 W18143 W2144 W5150 W24151 W4156 W1160 W11170 W9176 W3178 W1180 W7190 W13192 W1200 W20208 W4214 W2220 W1227 W1230 W20231 W1235 W1245 W1250 W4277 W1278 W3280 W8290 W1294 W4298 W1300 W15310 W4312 W1312.5 W1320 W2330 W4333 W1340 W1341 W4350 W3357 W1360 W7370 W8375 W18380 W6390 W5391 W1400 W5425 W1446 W3460 W1470 W1480 W4481 W2517 W1520 W4580 W1595 W2625 W2780 W2800 W1940 W2960 W21040 W11170 W11250 W11500 W1
- R(DS)(on) Referenz-Strom
- -10 A9-20 A7-3 A5-4 A4-1 A3-30 A3-130 mA2-0.2 A1-11 A1-12 A1-14 A1-15 A1-19 A1-2 A1-23 A1-3.5 A1-31 A1-4.1 A1-5 A1-6 A1-6.5 A1-6.8 A1-7 A1-74 A1-8 A10 A40.1 mA110 mA414 mA120 mA130 mA10.0416666666666667 A1055 mA10.1 A1115 mA1120 mA10.125 A30.166666666666667 A2170 mA3190 mA1200 mA4220 mA20.291666666666667 A3330 mA10.333333333333333 A2340 mA1400 mA10.416666666666667 A5500 mA6660 mA1910 mA1930 mA11 A11.2 A21.25 A11.4 A11.5 A31.6 A11.9 A22 A42.1 A12.2 A22.3 A12.4 A32.5 A32.6 A12.7 A22.75 A12.8 A22.9 A23 A33.1 A23.3 A13.4 A23.5 A43.6 A33.7 A24 A54.1 A24.2 A14.3 A24.5 A34.8 A35 A105.2 A15.4 A25.5 A45.7 A15.8 A16 A56.2 A16.3 A16.6 A37.2 A37.5 A18 A28.4 A58.5 A18.6 A19 A89.2 A19.3 A19.5 A19.6 A19.7 A110 A1410.3 A111 A812 A713 A413.5 A114 A215 A516 A817 A418 A620 A1221 A122 A323 A523.5 A124 A525 A425.5 A126 A127 A128 A429 A130 A1231 A132 A133 A435 A438 A240 A841 A142 A244 A245 A346 A347 A149 A250 A652 A153 A156 A157 A158 A159 A160 A262 A264 A165 A166 A170 A275 A1676 A178 A1100 A9101 A1110 A2121 A1125 A1165 A1170 A1180 A1195 A2
- U(DSS)
- -40 V14-60 V11-30 V9-100 V8-50 V7-200 V6-20 V4-250 V3-55 V2-160 V1-18 V112 V120 V1624 V125 V330 V3940 V2345 V250 V855 V3160 V7865 V975 V1280 V385 V190 V1100 V59150 V29200 V38250 V11300 V3400 V13450 V1500 V38600 V44650 V7800 V9900 V41000 V71500 V1
- Gehäuse
- Nur ISO-zertifizierte Verkäufer
- Montageart
- Ausführung
- R(DS)(on)
- U(GS)(th) max.
- Verpackungsart
- C(ISS)
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MOSFETS
1132 ErgebnisseDetails | Preis | Verfügbarkeit | Gehäuse | U(GS)(th) max. | C(ISS) | R(DS)(on) Referenz-Strom | R(DS)(on) | Leistung (max) P(TOT) | Montageart | U(DSS) | Ausführung | Verpackungsart | Zertifizierungen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
zzgl. MwSt. 3679 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 3 | TO-220 | 2 V | 1700 pF | 25 A | 22 mΩ | 110 W | Durchführungsloch | 55 V | HEXFET | - | - | |||
zzgl. MwSt. 2170 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 15 | TO-92 | 3 V | 60 pF | 200 mA | 5 Ω | 350 mW | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 7355 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 7 | TO-92 | 3 V | 50 pF | 500 mA | 5 Ω | 400 mW | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 188 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-220 | 4 V | 3400 pF | 38 A | 20 mΩ | 200 W | Durchführungsloch | 55 V | P-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 181 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-220AB | 4 V | 3247 pF | 62 A | 8 mΩ | 200 W | Oberflächenmontage | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
-45% 0,13 € 0,07143 € zzgl. MwSt. 1335 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-92-3 | 3 V | 50 pF | 500 mA | 5 Ω | 400 mW | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 770 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 2 | TO-220 | 4 V | 1470 pF | 25 A | 17.5 mΩ | 94 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 1222 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 3 | TO-220 | 2 V | 880 pF | 16 A | 35 mΩ | 68 W | Durchführungsloch | 55 V | HEXFET | - | - | |||
zzgl. MwSt. 421 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 10 | SOT-23 | 1.1 V | 700 pF | 6.3 A | 21 mΩ | 1.3 W | Oberflächenmontage | 20 V | N-Kanal | - | - | |||
-64% 0,33 € 0,12007 € zzgl. MwSt. 9 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
zzgl. MwSt. 49 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 2 | TO-220 | 4 V | 1300 pF | 11 A | 117 mΩ | 140 W | Durchführungsloch | 100 V | P-Kanal | - | - | |||
-56% 0,18 € 0,08 € zzgl. MwSt. 2085 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-92-3 | 3 V | 40 pF | 200 mA | 5 Ω | 830 mW | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
-56% 0,07 € 0,03061 € zzgl. MwSt. 11065 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | SOT-23-3 | 2 V | 73 pF | 170 mA | 6 Ω | 360 mW | Oberflächenmontage | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 79 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-220 | 4 V | 1400 pF | 6 A | 550 mΩ | 125 W | Durchführungsloch | 400 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 2009 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 30 | SOT-23-3 | 2.5 V | 50 pF | 500 mA | 5 Ω | 350 mW | Oberflächenmontage | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 12 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-220AB | 4 V | 2900 pF | 35 A | 18 mΩ | 160 W | Oberflächenmontage | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
-34% 0,14 € 0,09184 € zzgl. MwSt. 178 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | SOT-23 | 2.5 V | 290 pF | 1.6 A | 220 mΩ | 1.3 W | Oberflächenmontage | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 629 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-220 | 4 V | 1960 pF | 16 A | 44 mΩ | 130 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 149 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 3 | TO-220AB | - | - | - | 0.1 Ω | 68 W | Durchführungsloch | - | P-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 164 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 3 | I-PAK | 4 V | 350 pF | 6.6 A | 175 mΩ | 38 W | Durchführungsloch | 55 V | P-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 62 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-220AB | 4 V | 2250 pF | 70 A | 14 mΩ | 150 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 460 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220 | - | - | - | 0.018 Ω | 95 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 38 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-220AB | 5 V | 4600 pF | 46 A | 24 mΩ | 330 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 240 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220AB | 4 V | 1150 pF | 25 A | 15.8 mΩ | 71 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
-62% 0,10 € 0,03843 € zzgl. MwSt. 2924 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
-52% zzgl. MwSt. 2 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-247 | 4 V | 1300 pF | 12 A | 180 mΩ | 150 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 190 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-220 | 2 V | 3600 pF | 46 A | 10 mΩ | 170 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 25 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-220AB | 4 V | 1900 pF | 31 A | 28 mΩ | 150 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
0,56 € zzgl. MwSt. 64 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-220AB | 4 V | 1900 pF | 22 A | 36 mΩ | 160 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
-62% 1,08 € 0,41 € zzgl. MwSt. 269 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-220-3 | 4 V | 2000 pF | 15 A | 40 mΩ | 75 W | Durchführungsloch | 50 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 227 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 2 | TO-220AB | 4 V | 1700 pF | 17 A | 77 mΩ | 150 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 428 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-220 | 4 V | 1160 pF | 11 A | 150 mΩ | 150 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 357 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-220 | 2 V | 1800 pF | 18 A | 44 mΩ | 140 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 International Rectifier P-Ch Leistungs-MOSFET 55 V 74 A 200 W TO 220 ABMEPATRONIK Elektronische Bauelemente Vertriebs GmbH zzgl. MwSt. 1200 Stück auf Lager Lieferung Mi., 21. Okt. Min: 5 | TO-220 | 20 V | 3400 pF | -74 A | 0.02 Ω | 200 W | Durchsteckmontage | -55 V | P-Kanal | Tube | RoHS | |||
zzgl. MwSt. 227 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-247 | 4 V | 4200 pF | 12 A | 270 mΩ | 280 W | Durchführungsloch | 500 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 1160 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 20 | SOT-23 | 1.5 V | 27 pF | 220 mA | 3.5 Ω | 360 mW | Oberflächenmontage | 50 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 66 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 3 | TO-220 | 4 V | 760 pF | 8.4 A | 200 mΩ | 79 W | Durchführungsloch | 100 V | P-Kanal | - | - | |||
-61% 0,18 € 0,0703 € zzgl. MwSt. 25 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 10 | SOT-23 | - | - | - | 0.165 Ω | 1.25 W | Oberflächenmontage | - | P-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 100 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 3 | TO-220 | 4 V | 260 pF | 3.1 A | 800 mΩ | 50 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 96 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 3 | TO-220 | 4 V | 140 pF | 2 A | 1.5 Ω | 36 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 18 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-247AC | 4 V | 5400 pF | 23 A | 75 mΩ | 280 W | Durchführungsloch | 250 V | N-Kanal | - | - | |||
-20% zzgl. MwSt. 300 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |||
zzgl. MwSt. 586 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-220AB | 2.5 V | 10315 pF | 195 A | 1.7 mΩ | 375 W | Durchführungsloch | 40 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 6 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-220-3 | 5 V | 2860 pF | 9 A | 265 mΩ | 235 W | Durchführungsloch | 500 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 1498 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 15 | SOT-23 | 2.3 V | 110 pF | 2.7 A | 100 mΩ | 1.3 W | Oberflächenmontage | 30 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 3 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | SOT-223 | - | - | - | 7.5 Ω | 1.8 W | Oberflächenmontage | - | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 414 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 10 | SOT-23-3 | 2.5 V | 50 pF | 500 mA | 2 Ω | 350 mW | Oberflächenmontage | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 905 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 25Vielfache: 25 | TO-220AB | 20 V | 360 pF | 9.2 A | 0.27 Ω | 60 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | Tube | RoHS | |||
zzgl. MwSt. 17 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | D2PAK | - | - | - | 0.117 Ω | 110 W | Oberflächenmontage | - | P-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 115 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 3 | TO-220 | 4 V | 3210 pF | 50 A | 12 mΩ | 200 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 2600 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 50Vielfache: 50 | DIP-4 | - | - | - | 3 Ω | 1.0 W | Durchführungsloch | - | P-Kanal | Tube | - | |||
zzgl. MwSt. 57 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 3 | TO-220 | 4 V | 200 pF | 2.4 A | 1.2 Ω | 43 W | Durchführungsloch | 100 V | P-Kanal | - | - | |||
 SI9435BDY SOP8 P-CHANNEL POWER MOSFET SMT VishayMEPATRONIK Elektronische Bauelemente Vertriebs GmbH zzgl. MwSt. 830 Stück auf Lager Lieferung Mi., 21. Okt. Min: 10 | SOP-8 | 20 V | - | -4.1 A | 0.43 Ω | 2.5 W | Oberflächenmontage | -30 V | P-Kanal | Tape and Reel | RoHS | |||
zzgl. MwSt. 1600 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 10Vielfache: 10 | D2PAK | - | - | - | 0.012 Ω | 130 W | Oberflächenmontage | - | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 32 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-220 | 4 V | 1423 pF | 6.6 A | 520 mΩ | 170 W | Durchführungsloch | 500 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 162 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-220AB | 4 V | 5669 pF | 121 A | 4 mΩ | 333 W | Durchführungsloch | 40 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich zzgl. MwSt. 2880 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 20 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
-67% 0,30 € 0,10 € zzgl. MwSt. 2515 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | SOT-23-3 | 0.85 V | - | 3.6 A | 57 mΩ | 710 mW | Oberflächenmontage | 20 V | N-Kanal | - | - | |||
-69% 0,26 € 0,08 € zzgl. MwSt. 2817 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | SOT-23-3 | 3 V | 155 pF | 1.9 A | 190 mΩ | 2.3 W | Oberflächenmontage | 30 V | P-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 220 Stück auf Lager Lieferung Mi., 21. Okt. Min: 5 | TO-220 | 30 V | 1100 pF | 10 A | 0.85 Ω | 50 W | Durchsteckmontage | 600 V | N-Kanal | Bulk | RoHS | |||
zzgl. MwSt. 710 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220 | - | - | - | 0.014 Ω | 110 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 3510 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 10Vielfache: 10 | D2PAK | - | - | - | 0.09 Ω | 70 W | Oberflächenmontage | - | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 470 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220 | - | - | - | 0.75 Ω | 115 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 390 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220 | - | - | - | 0.033 Ω | 150 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
-20% zzgl. MwSt. 760 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 10Vielfache: 10 | D2PAK | - | - | - | 0.002 Ω | 300 W | Oberflächenmontage | - | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 313 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-220-FULLPAK | - | - | - | 0.38 Ω | 31 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 30 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 10 | SO-8 | - | - | - | 0.026 Ω | 2.0 W | Oberflächenmontage | - | P-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 11524 Stück auf Lager Lieferung Di., 3. Nov. | TO-220AB | - | - | - | 0.28 Ω | 43 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | Tube | - | |||
-50% 0,50 € 0,25 € zzgl. MwSt. 3681 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | SOT-223-4 | 4 V | 601 pF | 2.5 A | 300 mΩ | 1.1 W | Oberflächenmontage | 60 V | P-Kanal | - | - | |||
 VISHAY P-Ch Leistungs-MOSFET 100 V 19 A 150 W TO 220 ABMEPATRONIK Elektronische Bauelemente Vertriebs GmbH zzgl. MwSt. 395 Stück auf Lager Lieferung Mi., 21. Okt. Min: 5 | TO-220 | 20 V | 1400 pF | -19 A | 0.2 Ω | 150 W | Durchsteckmontage | -100 V | P-Kanal | Tube | RoHS | |||
-64% 0,12 € 0,04313 € zzgl. MwSt. 847 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
zzgl. MwSt. 23 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-220AB | 4 V | 9620 pF | 75 A | 4.5 mΩ | 370 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 2155 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 100 | SOT-23 | - | - | - | - | 1 W | Oberflächenmontage | 30 V | - | - | RoHS | |||
-40% 0,10 € 0,05959 € zzgl. MwSt. 2353 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | SOT-23 | -1.4 V | - | -3 A | - | 1 W | Oberflächenmontage | -30 V | P-Kanal | - | RoHS | |||
zzgl. MwSt. 81 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-220AB | 4 V | 4340 pF | 75 A | 3.7 mΩ | 200 W | Durchführungsloch | 40 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 77 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-247 | 4 V | 3100 pF | 12 A | 270 mΩ | 280 W | Durchführungsloch | 500 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 815 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. Min: 5 | TO-220 | 4 V | 620 pF | 10 A | 100 mΩ | 3.8 W | Oberflächenmontage | 55 V | P-Kanal | - | - | |||
2,34 € zzgl. MwSt. 14 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-220-3 | 4 V | 3790 pF | 75 A | 14 mΩ | 310 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
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-54% 4,19 € 1,92 € zzgl. MwSt. 216 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-3P-3 | 4 V | 3320 pF | 18 A | 90 mΩ | 294 W | Durchführungsloch | 150 V | P-Kanal | - | - | |||
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zzgl. MwSt. 18 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 20. Okt. | TO-252AA | - | - | - | 0.008 Ω | 75 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
Ratgeber
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren – kurz MOSFETs – sind die bei weitem häufigsten Transistoren in digitalen Schaltungen. Da sie sich enorm verkleinern lassen, finden sie sich in riesigen Mengen in Speicherchips oder Mikroprozessoren. So enthält beispielsweise ein moderner DDR4-Speicherriegel mit 128 Gigabyte Kapazität über 137 Milliarden Transistoren.
Erfahren Sie hier, wie MOSFETS aufgebaut sind, wie sie funktionieren und für welche Einsatzzwecke sie geeignet sind.
Ihre Fähigkeit, die Leitfähigkeit mit der Höhe der angelegten Spannung zu ändern, lässt sich zur Verstärkung oder zum Schalten von elektronischen Signalen nutzen.
Letztlich ist der unipolare MOSFET ein über die Spannung steuerbarer Widerstand. Im Vergleich zu einem Bipolartransistor benötigt er fast keinen Eingangsstrom zur Steuerung des Laststroms, einer der größten Vorteile dieses Bauelements.
Die Bezeichnung "Metall-Oxid-Halbleiter" beziehungsweise „metal-oxid-semiconductor“ (MOS) bezieht sich typischerweise auf ein Metall-Gate, eine Oxid-Isolation und einen Halbleiter, in der Regel Silizium.
Das Metall in MOSFET ist jedoch heutzutage oft irreführend, da das Gate-Material ebenso eine Schicht aus Polysilizium (polykristallines Silizium) sein kann.
Neben Oxid lassen sich auch verschiedene dielektrische Materialien verwenden, um effiziente Kanäle bei kleineren angelegten Spannungen zu erhalten. Der MOS-Kondensator ist ebenfalls ein Teil dieser Struktur.
MOSFETs sind entweder Teil integrierter MOS-Schaltkreis-Chips oder diskrete Bauteile. Möglich sind zudem Single-Gate- oder Multi-Gate-Ausführungen.
Da alle entweder dem p-Typ- oder dem n-Typ-Halbleitern entsprechen, lassen sich komplementäre Paare für Schaltkreise mit sehr geringem Stromverbrauch herstellen.
Produziert werden MOSFETs in zwei Varianten: als „normal leitend“ – der sogenannte Verarmungstyp – und als normal sperrend – der Anreicherungstyp.
Allen Typen gemeinsam sind die drei Anschlüsse „S“ für Source, „D“ für Drain“ und „G“ für Gate, im Deutschen entsprechend Quelle, Abfluss und Steueranschluss.
Ein MOSFET beruht auf der Steuerung der Ladungsträgerkonzentration über einen MOS-Kondensator zwischen den Substratelektroden und dem Gate. Das Gate befindet sich auf der Oberseite des Substrats und ist von allen anderen Bereichen des Bauelements durch eine dielektrische Schicht isoliert, zum Beispiel durch Siliziumdioxid. Werden andere dielektrische Materialien als Oxide verwendet, spricht man von einem Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor, kurz MISFET. Eingebürgert hat sich außerdem die für alle Typen geltende Abkürzung IGFET für einen Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate.
Im Vergleich zum reinen MOS-Kondensator enthält der MOSFET die beiden zusätzlichen Anschlüsse Source und Drain, die jeweils mit hochdotierten Bereichen verbunden sind, getrennt durch den Substratbereich. Diese Bereiche können entweder vom p-Typ oder vom n-Typ sein. Source und Drain sind stark dotiert und werden in der Notation durch ein '+'-Zeichen hinter dem Dotierungstyp angegeben.
Wenn es sich bei dem IGFET um einen n-Kanal handelt, sind die Dotierungsbereiche für Source und Drain "n+"-Bereiche und das Substrat ist ein "p"-Typ-Bereich.
Beim p-Kanal sind die Dotierungsbereiche für Source und Drain "p+"-Bereiche und das Substrat ist ein "n"-Typ-Bereich. Der Source-Anschluss wird so genannt, weil er den Ursprung der Ladungsträger bildet, die durch den Kanal fließen. Analog dazu ist der Drain der Punkt, an dem die Ladungsträger den Kanal verlassen.
Beim Anlegen einer negativen Gate-Source-Spannung entsteht auf einer n-Typ-Substratoberfläche ein p-Typ-Kanal, analog zum n-Kanal, jedoch mit entgegengesetzten Polaritäten der Ladungen und Spannungen.
Ist die Spannung kleiner als die Schwellenspannung, verschwindet der Kanal und es kann nur ein kleiner Unterschwellenstrom zwischen Drain und Source fließen.
FAQ – häufig gestellte Fragen
In welchen Gehäuseformen und für welche Montagearten gibt es IGFETs?
Diese Bauteile gibt es sowohl mit Lötanschlüssen als auch für die SMD-Montage direkt auf der Platine. Einige Typen besitzen Durchführungslöcher für Schrauben und das Anbringen von Kühlkörpern.
Für welchen maximalen Temperaturbereich sind MOSFETs ausgelegt?
Gängige Maxima reichen von 125 bis zu 225 Grad Celsius.
Was ist der Unterschied zwischen einem Transistor und einem Feldeffekttransistor?
Letztlich gehören beide zur Gruppe der Transistoren und können als Schalter oder Verstärker eingesetzt werden. Feldeffekttransistoren arbeiten im Gegensatz zu Transistoren mit einer Steuerspannung beziehungsweise einem elektrischen Feld, ein Steuerstrom fließt dabei nicht. Außerdem lassen sich Feldeffekttransistoren auch für Wechselstromverstärkung einsetzen, bei bipolaren Transistoren ist das nicht möglich.