- Produkt-Art
- MOSFET1030IGBT2MOSFET/IGBT-Set1Transistor - JFET1
- Marke
- Infineon Technologies368Vishay153Diotec129Taiwan Semiconductor96STMicroelectronics80Littelfuse69ON Semiconductor57Toshiba26DIODES Incorporated12Fujitsu Electric8NEC7Unisonic Technologies7Hottech Semiconductor3International Rectifier3IXYS3MCC3Renesas3Hitachi2Sanyo2Siemens2CDIL1Fairchild Semiconductor1Helios Ventilatoren1ITT Semiconductor1Kemo1Kerkmann1LRC1Mepatronik1NXP Semiconductors1RFT1SHINDENGEN1
- VerkäuferConrad Electronic SE
- Preis
- Leistung (max) P(TOT)
- 100 mW1150 mW10.2 W5200 mW2225 mW40.25 W4250 mW20.275 W1300 mW30.31 W10.35 W9350 mW7360 mW70.36 W6400 mW30.4 W10.41 W10.5 W5500 mW10.53 W1540 mW2700 mW1710 mW10.75 W1800 mW10.83 W2830 mW20.9 W1900 mW10.96 W11 W51.0 W11.1 W11.25 W111.3 W131.4 W51.5 W61.56 W11.6 W21.7 W31.78 W11.8 W101.9 W12.0 W162 W102.1 W52.3 W12.4 W12.5 W202.8 W13 W43.1 W63.75 W13.8 W54 W34.2 W25 W85.7 W26 W36.3 W16.6 W17.8 W18 W210.8 W113 W114 W116 W317 W120 W421 W122 W122.7 W224 W125 W2728 W329 W129.7 W230 W531 W532 W134 W335 W735.7 W236 W238 W339 W240 W1441 W141.67 W141.7 W142 W1143 W544 W145 W1846 W348 W848.3 W250 W1051 W252 W354 W560 W762 W262.5 W263 W166 W368 W969 W270 W571 W374 W1075 W978 W179 W680 W782 W383 W585 W186 W188 W390 W691 W192 W194 W395 W198 W199 W3100 W9101 W1107 W2110 W29115 W2120 W5123 W1125 W31128 W1130 W11131 W1135 W2140 W17143 W2144 W5150 W23151 W4156 W1160 W11170 W9176 W3178 W1180 W7190 W13192 W1200 W19208 W4214 W2220 W1227 W1230 W20231 W1235 W1245 W1250 W4277 W1278 W3280 W8290 W1294 W4298 W1300 W15310 W4312 W1312.5 W1320 W2330 W4333 W1340 W1341 W4350 W3357 W1360 W7370 W8375 W18380 W6390 W5391 W1400 W5425 W1446 W3460 W1470 W1480 W4481 W2517 W1520 W4580 W1595 W2625 W2780 W2800 W1940 W2960 W21040 W11170 W11250 W11500 W1
- R(DS)(on) Referenz-Strom
- -10 A7-3 A4-20 A3-130 mA2-4 A2-0.2 A1-1 A1-11 A1-12 A1-14 A1-15 A1-19 A1-2 A1-23 A1-3.5 A1-31 A1-4.1 A1-5 A1-6.5 A1-6.8 A1-7 A1-74 A1-8 A10 A10.1 mA110 mA414 mA120 mA130 mA10.0416666666666667 A655 mA10.1 A1115 mA1120 mA10.125 A10.166666666666667 A1170 mA3190 mA1200 mA4220 mA20.291666666666667 A1330 mA10.333333333333333 A1340 mA1400 mA10.416666666666667 A2500 mA6660 mA1900 mA1910 mA1930 mA11 A11.2 A21.25 A11.4 A11.5 A31.6 A11.9 A22 A42.1 A12.2 A22.3 A12.4 A32.5 A32.6 A12.7 A22.75 A12.8 A22.9 A23 A33.1 A23.3 A13.4 A23.5 A43.6 A43.7 A24 A54.1 A24.2 A14.3 A24.5 A34.8 A35 A105.2 A15.4 A25.5 A45.7 A15.8 A16 A56.2 A16.3 A16.6 A37.2 A37.5 A18 A28.4 A58.5 A18.6 A19 A89.2 A19.3 A19.5 A19.6 A19.7 A110 A1410.3 A111 A812 A813 A413.5 A114 A215 A516 A917 A418 A620 A521 A122 A323 A323.5 A124 A325 A425.5 A126 A127 A128 A429 A130 A1031 A232 A133 A435 A438 A240 A841 A142 A244 A245 A346 A347 A149 A250 A552 A153 A156 A157 A158 A159 A160 A262 A264 A165 A166 A170 A275 A1676 A178 A1100 A9101 A1110 A2121 A1125 A1165 A1170 A1180 A1195 A2
- U(DSS)
- -40 V14-30 V9-60 V9-100 V8-50 V7-20 V4-200 V4-250 V3-55 V2-160 V1-18 V112 V120 V1724 V125 V330 V4040 V2345 V250 V855 V3360 V7765 V975 V1280 V385 V190 V1100 V58150 V29200 V36250 V11300 V3400 V12450 V1500 V36600 V43650 V7800 V9900 V41000 V71500 V1
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Mosfets
1046 ErgebnisseDetails | Preis | Verfügbarkeit | Gehäuse | U(GS)(th) max. | C(ISS) | R(DS)(on) Referenz-Strom | R(DS)(on) | Leistung (max) P(TOT) | Montageart | U(DSS) | Ausführung | Verpackungsart | Zertifizierungen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLZ44NPBF MOSFET 1 HEXFET 110 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 4504 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220 | 2 V | 1700 pF | 25 A | 22 mΩ | 110 W | Durchführungsloch | 55 V | HEXFET | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor BS170 MOSFET 1 N-Kanal 350 mW TO-92Conrad Electronic zzgl. MwSt. 3095 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 15 | TO-92 | 3 V | 60 pF | 200 mA | 5 Ω | 350 mW | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor 2N7000 MOSFET 1 N-Kanal 400 mW TO-92Conrad Electronic zzgl. MwSt. 7634 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 7 | TO-92 | 3 V | 50 pF | 500 mA | 5 Ω | 400 mW | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF4905PBF MOSFET 1 P-Kanal 200 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 375 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 4 V | 3400 pF | 38 A | 20 mΩ | 200 W | Durchführungsloch | 55 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLB3034PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 638 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 2.5 V | 10315 pF | 195 A | 1.7 mΩ | 375 W | Durchführungsloch | 40 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF3205 MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 259 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 3247 pF | 62 A | 8 mΩ | 200 W | Oberflächenmontage | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF540NPBF MOSFET 1 N-Kanal 130 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 641 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 4 V | 1960 pF | 16 A | 44 mΩ | 130 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies 2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET Tape on Full reelConrad Electronic zzgl. MwSt. 920 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 20 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
 Abb. ähnlich MCC SI5618A-TP MOSFET FET Tape on Full reelConrad Electronic zzgl. MwSt. 2000 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10 | - | - | - | - | - | - | - | - | FET | Tape on Full reel | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor 2N7002 MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 2256 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 30 | SOT-23-3 | 2.5 V | 50 pF | 500 mA | 5 Ω | 350 mW | Oberflächenmontage | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFZ44NPBF MOSFET 1 N-Kanal 94 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 908 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 2 | TO-220 | 4 V | 1470 pF | 25 A | 17.5 mΩ | 94 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLZ34NPBF MOSFET 1 HEXFET 68 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 1349 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220 | 2 V | 880 pF | 16 A | 35 mΩ | 68 W | Durchführungsloch | 55 V | HEXFET | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLML6344TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W SOT-23Conrad Electronic zzgl. MwSt. 511 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10 | SOT-23 | 1.1 V | 650 pF | 5 A | 29 mΩ | 1.3 W | Oberflächenmontage | 30 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich DIODES Incorporated ZXM61P03FTA MOSFET Tape on Full reelConrad Electronic zzgl. MwSt. 2600 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLB3036PBF MOSFET 1 N-Kanal 380 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 24 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 2.5 V | 11210 pF | 165 A | 2.4 mΩ | 380 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRL540NPBF MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 469 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 2 V | 1800 pF | 18 A | 44 mΩ | 140 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF9Z24NPBF MOSFET 1 P-Kanal 45 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 525 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220AB | 4 V | 350 pF | 7.2 A | 175 mΩ | 45 W | Durchführungsloch | 55 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLB8743PBF MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 72 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 2.35 V | 5110 pF | 40 A | 3.2 mΩ | 140 W | Durchführungsloch | 30 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF1010E MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 418 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220 | 4 V | 3210 pF | 50 A | 12 mΩ | 200 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF9540NPBF MOSFET 1 P-Kanal 140 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 105 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 2 | TO-220 | 4 V | 1300 pF | 11 A | 117 mΩ | 140 W | Durchführungsloch | 100 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Diotec 2N7000 MOSFET 0.35 W TO-92Conrad Electronic zzgl. MwSt. 1943 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 100 | TO-92 | - | - | - | - | 0.35 W | Durchsteckmontage | 60 V | - | - | RoHS | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP460APBF MOSFET 1 N-Kanal 280 W TO-247Conrad Electronic zzgl. MwSt. 81 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247 | 4 V | 3100 pF | 12 A | 270 mΩ | 280 W | Durchführungsloch | 500 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich zzgl. MwSt. 1350 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 3. Sep. Min: 10 | TO-220AB | 20 V | 920 pF | 17 A | 0.09 Ω | 70 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | Tube | RoHS | |||
 Abb. ähnlich Vishay SI2319CDS-T1-GE3 MOSFET Tape on Full reelConrad Electronic zzgl. MwSt. 2520 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor BUZ11-NR4941 MOSFET 1 N-Kanal 75 W TO-220-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 334 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 2 | TO-220-3 | 4 V | 2000 pF | 15 A | 40 mΩ | 75 W | Durchführungsloch | 50 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor FQP27P06 MOSFET 1 P-Kanal 120 W TO-220-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 159 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220-3 | 4 V | 1400 pF | 13.5 A | 70 mΩ | 120 W | Durchführungsloch | 60 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP460PBFConrad Electronic zzgl. MwSt. 275 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |||
 Taiwan Semiconductor TSM320N03CX RFG MOSFET SOT-23 Tape on Full reelConrad Electronic zzgl. MwSt. 3300 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 3. Sep. Min: 25 | SOT-23 | - | - | - | - | - | Leiterplattenmontage | - | - | Tape on Full reel | RoHS | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP4468PBF MOSFET 1 N-Kanal 520 W TO-247ACConrad Electronic zzgl. MwSt. 17 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247AC | 4 V | 19860 pF | 180 A | 2.6 mΩ | 520 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP80NF10 MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 46 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 5500 pF | 40 A | 15 mΩ | 300 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
Infineon Technologies BSS131 MOSFET 1 N-Kanal 0.36 W SOT-23Conrad Electronic zzgl. MwSt. 30 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 25 | SOT-23 | - | - | - | 20 Ω | 0.36 W | Oberflächenmontage | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor 2N7002LT1G MOSFET Tape on Full reelConrad Electronic zzgl. MwSt. 2790 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 30 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
 Abb. ähnlich zzgl. MwSt. 1556 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 3. Sep. Min: 10 | TO-220 | 20 V | 315 pF | 16 A | 0.1 Ω | 45 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | Tube | RoHS | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLML6346TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W SOT-23Conrad Electronic zzgl. MwSt. 2358 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10 | SOT-23 | 1.1 V | 270 pF | 3.4 A | 63 mΩ | 1.3 W | Oberflächenmontage | 30 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3077PBF MOSFET 1 N-Kanal 370 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. Bald verfügbar | TO-220AB | 4 V | 9400 pF | 75 A | 3.3 mΩ | 370 W | Durchführungsloch | 75 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF840PBF MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 180 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 4 V | 1300 pF | 4.8 A | 850 mΩ | 125 W | Durchführungsloch | 500 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF1405PBF MOSFET 1 N-Kanal 330 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 567 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 4 V | 5480 pF | 101 A | 5.3 mΩ | 330 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. Lieferung Fr., 4. Sep. | TO-252AA | - | - | - | 0.48 Ω | 40 W | Durchführungsloch | - | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF9Z34N MOSFET 1 P-Kanal 3.8 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 845 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 5 | TO-220 | 4 V | 620 pF | 10 A | 100 mΩ | 3.8 W | Oberflächenmontage | 55 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF840APBF MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 105 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 1018 pF | 4.8 A | 850 mΩ | 125 W | Durchführungsloch | 500 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFB9N60APBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 91 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 4 V | 1400 pF | 5.5 A | 750 mΩ | 170 W | Durchführungsloch | 600 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFZ24NPBF MOSFET 1 N-Kanal 45 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 236 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220 | 4 V | 370 pF | 10 A | 70 mΩ | 45 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
STMicroelectronics STD16NF06LT4 MOSFET 1 N-Kanal 40 W TO-252Conrad Electronic zzgl. MwSt. 3330 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 3. Sep. Min: 10Vielfache: 10 | TO-252 | - | - | - | 0.07 Ω | 40 W | Oberflächenmontage | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRL3705NPBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 310 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 2 V | 3600 pF | 46 A | 10 mΩ | 170 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF520NPBF MOSFET 1 N-Kanal 48 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 2140 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220 | 4 V | 330 pF | 5.7 A | 200 mΩ | 48 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
Infineon Technologies IRF9530NSPBF-GURT MOSFET 1 P-Kanal 79 W D2PAKConrad Electronic zzgl. MwSt. 35 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | D2PAK | - | - | - | 0.2 Ω | 79 W | Oberflächenmontage | - | P-Kanal | - | - | |||
Vishay IRFR420PBF MOSFET 1 N-Kanal 42 W TO-252AA TubeConrad Electronic zzgl. MwSt. 27 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-252AA | - | - | - | 3 Ω | 42 W | Oberflächenmontage | - | N-Kanal | Tube | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP260NPBF MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-247-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 158 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247-3 | 4 V | 4057 pF | 28 A | 40 mΩ | 300 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF5305PBF MOSFET 1 P-Kanal 110 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 23 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 1200 pF | 16 A | 60 mΩ | 110 W | Durchführungsloch | 55 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF9530NPBF MOSFET 1 P-Kanal 79 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 101 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220 | 4 V | 760 pF | 8.4 A | 200 mΩ | 79 W | Durchführungsloch | 100 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3607PBF MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. Bald verfügbar | TO-220AB | 4 V | 3070 pF | 46 A | 9 mΩ | 140 W | Durchführungsloch | 75 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich DIODES Incorporated 2N7002K-7 MOSFET Tape on Full reelConrad Electronic zzgl. MwSt. 2650 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 40 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3806PBF MOSFET 1 N-Kanal 71 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 280 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 3. Sep. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220AB | 4 V | 1150 pF | 25 A | 15.8 mΩ | 71 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay SI2309CDS-T1-E3 MOSFET Tape on Full reelConrad Electronic zzgl. MwSt. 2960 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB7437PBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 90 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 3.9 V | 7330 pF | 100 A | 2 mΩ | 230 W | Durchführungsloch | 40 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFZ34NPBF MOSFET 1 N-Kanal 68 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 408 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220 | 4 V | 700 pF | 16 A | 40 mΩ | 68 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3207ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 5 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 6920 pF | 75 A | 4.1 mΩ | 300 W | Durchführungsloch | 75 V | N-Kanal | - | - | |||
Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 2.0 W SO-8Conrad Electronic zzgl. MwSt. 24 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | SO-8 | - | - | - | 0.0155 Ω | 2.0 W | Oberflächenmontage | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF540PBF MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 255 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 2 | TO-220AB | 4 V | 1700 pF | 17 A | 77 mΩ | 150 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB7545PBF MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 1460 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 3. Sep. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220AB | 3.7 V | 4010 pF | 57 A | 5.9 mΩ | 125 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
STMicroelectronics STD20NF06LT4 MOSFET 1 N-Kanal 60 W TO-252Conrad Electronic zzgl. MwSt. 9710 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 3. Sep. Min: 10Vielfache: 10 | TO-252 | - | - | - | 0.04 Ω | 60 W | Oberflächenmontage | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies SPP20N60C3 MOSFET 1 N-Kanal 208 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 610 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 3. Sep. | TO-220 | - | - | - | 0.19 Ω | 208 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies BSS308PEH6327XTSA1 MOSFET Tape on Full reelConrad Electronic zzgl. MwSt. 444 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
![Kemo Power MOSFET & IGBT Transistoren [S106] MOSFET/IGBT-Set](https://asset.conrad.com/media10/isa/160267/c1/-/de/1484608_GB_00_FB/kemo-power-mosfet-igbt-transistoren-s106-mosfet-igbt-set.jpg?x=600) Abb. ähnlich 3,43 € zzgl. MwSt. 146 Sets auf Lager Lieferung Di., 8. Sep. | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP40NF10L MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 130 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 3. Sep. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220 | - | - | - | 0.033 Ω | 150 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 24 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | SOT-223 | - | - | - | 1.2 Ω | 3.1 W | Oberflächenmontage | - | P-Kanal | Tape on Full reel | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP3077PBF MOSFET 1 N-Kanal 340 W TO-247ACConrad Electronic zzgl. MwSt. 47 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247AC | 4 V | 9400 pF | 75 A | 3.3 mΩ | 340 W | Durchführungsloch | 75 V | N-Kanal | - | - | |||
 IRF9540NPBF TO220 P-CHANNEL POWER MOSFET THT InfineonMEPATRONIK GmbH zzgl. MwSt. 3990 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 3. Sep. Min: 10 | TO-220 | 20 V | 1300 pF | -23 A | 0.117 Ω | 140 W | Durchsteckmontage | -100 V | P-Kanal | Tube | RoHS | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF2807PBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 39 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10 | TO-220AB | - | - | - | 0.013 Ω | 230 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies BSS123NH MOSFET 1 N-Kanal 500 mW TO-236-3Conrad Electronic -64% 0,17 € 0,06123 € zzgl. MwSt. 1677 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 20 | TO-236-3 | 1.8 V | 20.9 pF | 190 mA | 6 Ω | 500 mW | Oberflächenmontage | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLML9301TRPBF MOSFET 1 P-Kanal 1.3 W SOT-23Conrad Electronic -29% 0,10 € 0,07143 € zzgl. MwSt. 637 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 15 | SOT-23 | 2.4 V | 388 pF | 3.6 A | 64 mΩ | 1.3 W | Oberflächenmontage | 30 V | P-Kanal | - | - | |||
Infineon Technologies IRF7316PBF-GURT MOSFET 2 P-Kanal 2.0 W SO-8Conrad Electronic zzgl. MwSt. 1 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | SO-8 | - | - | - | 0.098 Ω | 2.0 W | Oberflächenmontage | - | P-Kanal | - | - | |||
STMicroelectronics STD25NF10T4 MOSFET 1 N-Kanal 100 W TO-252Conrad Electronic zzgl. MwSt. Lieferung Do., 10. Sep. | TO-252 | - | - | - | 0.038 Ω | 100 W | Oberflächenmontage | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor BSS138 MOSFET 1 360 mW SOT-23-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 1243 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10 | SOT-23-3 | - | 27 pF | 220 mA | 3.5 Ω | 360 mW | Oberflächenmontage | 50 V | - | - | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP26NM60N MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 30 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | - | - | - | 0.165 Ω | 140 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich zzgl. MwSt. 5335 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Do., 3. Sep. Min: 10 | TO-220AB | 20 V | 3247 pF | 110 A | 0.008 Ω | 200 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | Tube | RoHS | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF9520PBF MOSFET 1 P-Kanal 60 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 147 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220AB | 4 V | 390 pF | 4.1 A | 600 mΩ | 60 W | Durchführungsloch | 100 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLR8743PBF MOSFET 1 N-Kanal 135 W DPAKConrad Electronic zzgl. MwSt. 3041 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 2 | DPAK | 2.35 V | 4880 pF | 25 A | 3.1 mΩ | 135 W | Oberflächenmontage | 30 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP064NPBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-247Conrad Electronic zzgl. MwSt. 130 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247 | 4 V | 4000 pF | 59 A | 8 mΩ | 200 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF640NPBF MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 21 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 4 V | 1160 pF | 11 A | 150 mΩ | 150 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB4110PBF MOSFET 1 N-Kanal 370 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 111 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 9620 pF | 75 A | 4.5 mΩ | 370 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLML6244TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W SOT-23Conrad Electronic zzgl. MwSt. 692 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10 | SOT-23 | 1.1 V | 700 pF | 6.3 A | 21 mΩ | 1.3 W | Oberflächenmontage | 20 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor 2N7000TA MOSFET 1 N-Kanal 400 mW TO-92-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 1877 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 15 | TO-92-3 | 3 V | 50 pF | 500 mA | 5 Ω | 400 mW | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich DIODES Incorporated DMN6140L-7 MOSFET Tape on Full reelConrad Electronic zzgl. MwSt. 2960 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 20 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF530N MOSFET 1 N-Kanal 3.8 W TO-263-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 781 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-263-3 | 4 V | 920 pF | 9 A | 90 mΩ | 3.8 W | Oberflächenmontage | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF7103PBF-GURT MOSFET 2 N-Kanal 2.0 W SO-8Conrad Electronic zzgl. MwSt. 43 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 5 | SO-8 | - | - | - | 0.2 Ω | 2.0 W | Oberflächenmontage | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLB3813PBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 79 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 2.35 V | 8420 pF | 60 A | 1.95 mΩ | 230 W | Durchführungsloch | 30 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor 2N7002K MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 49 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10 | SOT-23-3 | 2.5 V | 50 pF | 500 mA | 2 Ω | 350 mW | Oberflächenmontage | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3006PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 81 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 8970 pF | 170 A | 2.5 mΩ | 375 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP250NPBF MOSFET 1 N-Kanal 214 W TO-247Conrad Electronic zzgl. MwSt. 161 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247 | 4 V | 2159 pF | 18 A | 75 mΩ | 214 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
Ratgeber
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren – kurz MOSFETs – sind die bei weitem häufigsten Transistoren in digitalen Schaltungen. Da sie sich enorm verkleinern lassen, finden sie sich in riesigen Mengen in Speicherchips oder Mikroprozessoren. So enthält beispielsweise ein moderner DDR4-Speicherriegel mit 128 Gigabyte Kapazität über 137 Milliarden Transistoren.
Erfahren Sie hier, wie MOSFETS aufgebaut sind, wie sie funktionieren und für welche Einsatzzwecke sie geeignet sind.
Ihre Fähigkeit, die Leitfähigkeit mit der Höhe der angelegten Spannung zu ändern, lässt sich zur Verstärkung oder zum Schalten von elektronischen Signalen nutzen.
Letztlich ist der unipolare MOSFET ein über die Spannung steuerbarer Widerstand. Im Vergleich zu einem Bipolartransistor benötigt er fast keinen Eingangsstrom zur Steuerung des Laststroms, einer der größten Vorteile dieses Bauelements.
Die Bezeichnung "Metall-Oxid-Halbleiter" beziehungsweise „metal-oxid-semiconductor“ (MOS) bezieht sich typischerweise auf ein Metall-Gate, eine Oxid-Isolation und einen Halbleiter, in der Regel Silizium.
Das Metall in MOSFET ist jedoch heutzutage oft irreführend, da das Gate-Material ebenso eine Schicht aus Polysilizium (polykristallines Silizium) sein kann.
Neben Oxid lassen sich auch verschiedene dielektrische Materialien verwenden, um effiziente Kanäle bei kleineren angelegten Spannungen zu erhalten. Der MOS-Kondensator ist ebenfalls ein Teil dieser Struktur.
MOSFETs sind entweder Teil integrierter MOS-Schaltkreis-Chips oder diskrete Bauteile. Möglich sind zudem Single-Gate- oder Multi-Gate-Ausführungen.
Da alle entweder dem p-Typ- oder dem n-Typ-Halbleitern entsprechen, lassen sich komplementäre Paare für Schaltkreise mit sehr geringem Stromverbrauch herstellen.
Produziert werden MOSFETs in zwei Varianten: als „normal leitend“ – der sogenannte Verarmungstyp – und als normal sperrend – der Anreicherungstyp.
Allen Typen gemeinsam sind die drei Anschlüsse „S“ für Source, „D“ für Drain“ und „G“ für Gate, im Deutschen entsprechend Quelle, Abfluss und Steueranschluss.
Ein MOSFET beruht auf der Steuerung der Ladungsträgerkonzentration über einen MOS-Kondensator zwischen den Substratelektroden und dem Gate. Das Gate befindet sich auf der Oberseite des Substrats und ist von allen anderen Bereichen des Bauelements durch eine dielektrische Schicht isoliert, zum Beispiel durch Siliziumdioxid. Werden andere dielektrische Materialien als Oxide verwendet, spricht man von einem Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor, kurz MISFET. Eingebürgert hat sich außerdem die für alle Typen geltende Abkürzung IGFET für einen Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate.
Im Vergleich zum reinen MOS-Kondensator enthält der MOSFET die beiden zusätzlichen Anschlüsse Source und Drain, die jeweils mit hochdotierten Bereichen verbunden sind, getrennt durch den Substratbereich. Diese Bereiche können entweder vom p-Typ oder vom n-Typ sein. Source und Drain sind stark dotiert und werden in der Notation durch ein '+'-Zeichen hinter dem Dotierungstyp angegeben.
Wenn es sich bei dem IGFET um einen n-Kanal handelt, sind die Dotierungsbereiche für Source und Drain "n+"-Bereiche und das Substrat ist ein "p"-Typ-Bereich.
Beim p-Kanal sind die Dotierungsbereiche für Source und Drain "p+"-Bereiche und das Substrat ist ein "n"-Typ-Bereich. Der Source-Anschluss wird so genannt, weil er den Ursprung der Ladungsträger bildet, die durch den Kanal fließen. Analog dazu ist der Drain der Punkt, an dem die Ladungsträger den Kanal verlassen.
Beim Anlegen einer negativen Gate-Source-Spannung entsteht auf einer n-Typ-Substratoberfläche ein p-Typ-Kanal, analog zum n-Kanal, jedoch mit entgegengesetzten Polaritäten der Ladungen und Spannungen.
Ist die Spannung kleiner als die Schwellenspannung, verschwindet der Kanal und es kann nur ein kleiner Unterschwellenstrom zwischen Drain und Source fließen.
FAQ – häufig gestellte Fragen
In welchen Gehäuseformen und für welche Montagearten gibt es IGFETs?
Diese Bauteile gibt es sowohl mit Lötanschlüssen als auch für die SMD-Montage direkt auf der Platine. Einige Typen besitzen Durchführungslöcher für Schrauben und das Anbringen von Kühlkörpern.
Für welchen maximalen Temperaturbereich sind MOSFETs ausgelegt?
Gängige Maxima reichen von 125 bis zu 225 Grad Celsius.
Was ist der Unterschied zwischen einem Transistor und einem Feldeffekttransistor?
Letztlich gehören beide zur Gruppe der Transistoren und können als Schalter oder Verstärker eingesetzt werden. Feldeffekttransistoren arbeiten im Gegensatz zu Transistoren mit einer Steuerspannung beziehungsweise einem elektrischen Feld, ein Steuerstrom fließt dabei nicht. Außerdem lassen sich Feldeffekttransistoren auch für Wechselstromverstärkung einsetzen, bei bipolaren Transistoren ist das nicht möglich.