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Transistor (BJT) - diskret Infineon Technologies BCV27 SOT-23-3 1 NPN - Darlington

Infineon Technologies
Rated 5 out of 5 by 1 reviewer.
  • 2016-12-04 T06:20:38.793-06:00
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  • loc_en_US, sid_152922, prod, sort_default
Bestell-Nr.: 152922 - 62
Teile-Nr.: BCV27 |  EAN: 2050000019463
Abbildung ähnlich
0,20 €
inkl. MwSt., zzgl. Versand

NPN-Transistor

Technische Daten

Typ
BCV27
Gehäuse
SOT‑23‑3
Hersteller
Infineon Technologies
Herst.-Abk.
INF
Kategorie
Transistor (BJT) ‑ diskret
Kanäle
1
Ausführung
NPN ‑ Darlington
IC
500 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
30 V
VCE Sättigung (max.)
1 V
Kollektor Reststrom I(CES)
100 nA
Ptot
360 mW
DC Stromverstärkung (hFE)
20000
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
100 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
5 V
Transitfrequenz f(T)
170 MHz
Montageart
Oberflächenmontage
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

Beschreibung

NPN-Transistor (8 mm-Gurt).
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Transfer Resistor, Darlington-Transistor, BCV27, Bipolartransistor, IGBT, npn, transistor treiber ic, Transistor, pnp, tran-sistor, Germanium-transistor, isolated gate bipolar transistor, el transistor, bipolar-transisrtor, selen-Transistor, Infineon Technologies, silizium-transistor
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Rated 5 out of 5 by Was kann man hier sagen ? Der Transistor funktioniert ! Er ist klein und schnuckelig, passt gut auf die Platine und dieser text sollte etwas länger sein damit er angenommen wird .... :-) 2. Februar 2012
  • 2016-12-04 T06:20:38.793-06:00
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