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Transistor (BJT) - diskret ON Semiconductor BD810G TO-220AB 1 PNP

ON Semiconductor
Bestell-Nr.: 156418 - 62
Teile-Nr.: BD810G |  EAN: 2050000038365
Abbildung ähnlich
0,59 €
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Bipolar-Standard-Leistungstransistor

Technische Daten

Typ
BD810G
Gehäuse
TO‑220AB
Hersteller
ON Semiconductor
Herst.-Abk.
OnS
Kategorie
Transistor (BJT) ‑ diskret
Kanäle
1
Ausführung
PNP
IC
‑10 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
‑80 V
VCE Sättigung (max.)
‑1.1 V
Kollektor Reststrom I(CES)
‑1 mA
Ptot
90 W
DC Stromverstärkung (hFE)
15
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
‑4 A
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
‑2 V
Transitfrequenz f(T)
1.5 MHz
Montageart
Durchführungsloch
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

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