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Transistor (BJT) - diskret ON Semiconductor MJE18004G TO-220AB 1 NPN

ON Semiconductor
Bestell-Nr.: 151029 - 62
Teile-Nr.: MJE18004G |  EAN: 2050000012556
Abbildung ähnlich
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Leistungs-Schalttransistor

Technische Daten

Typ
MJE18004G
Gehäuse
TO‑220AB
Hersteller
ON Semiconductor
Herst.-Abk.
OnS
Kategorie
Transistor (BJT) ‑ diskret
Kanäle
1
Ausführung
NPN
IC
5 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
450 V
VCE Sättigung (max.)
750 mV
Kollektor Reststrom I(CES)
100 µA
Ptot
75 W
Serie
SWITCHMODE™
DC Stromverstärkung (hFE)
14
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
300 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
5 V
Transitfrequenz f(T)
13 MHz
Montageart
Durchführungsloch
Target 3001!

Dokumente & Downloads

Technische Daten

Highlights & Details

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