Ein Thyristor ist ein Halbleiterbauelement mit vier Schichten aus abwechselnden P- und N-Materialien, der oft auch als SCR bezeichnet wird. SCR ist die Abkürzung für Silicon Controlled Rectifier, zu Deutsch etwa gesteuerter Silizium-Gleichrichter. Er fungiert ausschließlich als bistabiler Schalter, leitet beim Anlegen einer Spannung am Gate und hält die Leitung aufrecht, bis sich die Spannung umgekehrt oder ganz entfernt wird.

Es existieren zwei Ausführungen von Thyristoren: Bei einem Thyristor mit drei Anschlüssen steuert ein kleiner Strom an der Gate-Leitung den größeren Strom des Pfads von der Anode zur Kathode. Bei einem Zweileiter-Thyristor dagegen beginnt der leitende Zustand erst, wenn die Potentialdifferenz zwischen Anode und Kathode selbst ausreichend groß ist. Man spricht hier auch von der Durchbruchspannung.

Eine TRIAC – die Abkürzung steht für Triode für Wechselstrom – ist ein elektronisches Bauteil mit drei Anschlüssen, das bei Ansteuerung Strom in beide Richtungen leitet. TRIACs sind eine Untergruppe der Thyristoren beziehungsweise SCRs und mit ihnen verwandt. Sie unterscheiden sich von SCRs dadurch, dass sie einen Stromfluss in beide Richtungen erlauben, während ein SCR nur in eine Richtung Strom leiten kann. Die meisten TRIACs lassen sich durch Anlegen einer positiven oder negativen Spannung an das Gate triggern. Einmal getriggert, leiten sie wie SCRs auch ohne Gatestrom weiter, bis der Hauptstrom unter einen bestimmten Wert, den Haltestrom, fällt.

Die Bidirektionalität von TRIACs macht sie zu praktischen Schaltern für Wechselstrom. Darüber hinaus ermöglicht das Anlegen eines Triggers bei einem kontrollierten Phasenwinkel des Wechselstroms im Hauptstromkreis die Steuerung des durchschnittlichen Stroms, der in eine Last fließt. Dies wird häufig zur Steuerung der Drehzahl eines Universalmotors, zum Dimmen von Lampen und zur Steuerung von elektrischen Heizungen verwendet. TRIACs sind bipolare Geräte.

Die Abkürzung MOSFET steht für Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor. Es handelt sich dabei um eine Art von Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate, der durch die kontrollierte Oxidation eines Halbleiters, typischerweise Silizium, hergestellt wird.

Die Spannung des abgedeckten Gates bestimmt die elektrische Leitfähigkeit des Bauelements. Diese Fähigkeit, die Leitfähigkeit mit der Höhe der angelegten Spannung zu ändern, kann zur Verstärkung oder zum Schalten elektronischer Signale genutzt werden.