Abbildung ähnlich
Abbildung ähnlich
Infineon Technologies IRLML6402TRPBF MOSFET 1 P-Kanal 1.3 W SOT-23
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SOT-23
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
1.3 W
R(DS)(on)
65 mΩ
Datenblatt (PDF)
8067 Stück
Verkauf und Versand:
Anzahl
Min.: 20
Gesamt (0,07 € / Stück)
€
Technische Daten
- Typ
IRLML6402TRPBF
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SOT-23
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
P-Kanal
- I(d)
3.7 A
- U
20 V
- Leistung (max) P(TOT)
1.3 W
- R(DS)(on)
65 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
3.7 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
4.5 V
- U(GS)(th) max.
1.2 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
12 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
5 V
- C(ISS)
633 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
10 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Serie
HEXFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
20 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 162833 Infineon Technologies IRLML6402TRPBF MOSFET 1 P-Kanal 1.3 W SOT-23
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 162833 Infineon Technologies IRLML6402TRPBF MOSFET 1 P-Kanal 1.3 W SOT-23