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- MOSFET1035IGBT2MOSFET/IGBT-Set1Transistor - JFET1
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- Infineon Technologies398Vishay165Diotec130Taiwan Semiconductor94STMicroelectronics91ON Semiconductor73Littelfuse69Toshiba27DIODES Incorporated17Fuji Electronique8IXYS7NEC7Unisonic Technologies7Nexperia5Hottech Semiconductor3MCC3Renesas3Belimo2CDIL2Hitachi2Sanyo2SHINDENGEN2Siemens2Brinkmann & Wecker Werkzeugtechnik1Fairchild Semiconductor1Helios Ventilatoren1ifm Electronic1International Rectifier1ITT Semiconductor1Jungheinrich1Kemo1Kerkmann1LRC1Mepatronik1NXP Semiconductors1Papstar1RFT1Texas Instruments1
- Leistung (max) P(TOT)
- 100 mW1150 mW10.2 W5200 mW2225 mW40.25 W4250 mW20.275 W1300 mW30.31 W10.35 W9350 mW70.36 W7360 mW7400 mW30.4 W10.41 W10.5 W5500 mW10.53 W1540 mW2700 mW1710 mW10.75 W1800 mW10.83 W2830 mW20.9 W1900 mW10.96 W11 W51.0 W11.1 W11.25 W111.3 W121.4 W51.5 W61.56 W11.6 W21.7 W31.78 W11.8 W101.9 W12.0 W162 W102.1 W52.3 W12.4 W12.5 W212.8 W13 W43.1 W63.75 W13.8 W54 W34.2 W25 W85.7 W26 W36.3 W16.6 W17.8 W18 W210.8 W113 W114 W116 W317 W120 W321 W122 W122.7 W224 W125 W2728 W329 W129.7 W230 W531 W532 W134 W335 W735.7 W236 W238 W339 W240 W1441 W141.67 W141.7 W142 W1143 W544 W145 W1846 W348 W848.3 W250 W1051 W252 W354 W560 W762 W262.5 W263 W166 W368 W969 W270 W571 W374 W1075 W978 W179 W680 W682 W383 W585 W186 W188 W390 W691 W192 W194 W395 W298 W199 W3100 W9101 W1107 W2110 W29115 W2120 W5123 W1125 W31128 W1130 W11131 W1135 W2140 W18143 W2144 W5150 W24151 W4156 W1160 W10170 W9176 W3178 W1180 W7190 W13192 W1200 W20208 W4214 W2220 W1227 W1230 W20231 W1235 W1245 W1250 W4277 W1278 W3280 W8290 W1294 W4298 W1300 W15310 W4312 W1312.5 W1320 W2330 W4333 W1340 W1341 W4350 W3357 W1360 W7370 W8375 W18380 W6390 W5391 W1400 W5425 W1446 W3460 W1470 W1480 W4481 W2517 W1520 W4580 W1595 W2625 W2780 W2800 W1940 W2960 W21040 W11170 W11250 W11500 W1
- R(DS)(on) Referenz-Strom
- -10 A9-20 A7-3 A5-4 A4-1 A3-30 A3-130 mA2-0.2 A1-11 A1-12 A1-14 A1-15 A1-19 A1-2 A1-23 A1-3.5 A1-31 A1-4.1 A1-5 A1-6 A1-6.5 A1-6.8 A1-7 A1-74 A1-8 A10 A40.1 mA110 mA414 mA120 mA130 mA10.0416666666666667 A1055 mA10.1 A1115 mA1120 mA10.125 A30.166666666666667 A2170 mA3190 mA1200 mA4220 mA20.291666666666667 A3330 mA10.333333333333333 A2340 mA1400 mA10.416666666666667 A5500 mA6660 mA1910 mA1930 mA11 A11.2 A21.25 A11.4 A11.5 A31.6 A11.9 A22 A42.1 A12.2 A22.3 A12.4 A32.5 A32.6 A12.7 A22.75 A12.8 A22.9 A23 A33.1 A23.3 A13.4 A23.5 A43.6 A33.7 A24 A54.1 A24.2 A14.3 A24.5 A34.8 A35 A105.2 A15.4 A25.5 A45.7 A15.8 A16 A56.2 A16.3 A16.6 A37.2 A37.5 A18 A28.4 A58.5 A18.6 A19 A89.2 A19.3 A19.5 A19.6 A19.7 A110 A1410.3 A111 A812 A713 A413.5 A114 A215 A516 A917 A418 A620 A1221 A122 A323 A523.5 A124 A525 A425.5 A126 A127 A128 A429 A130 A1231 A132 A133 A435 A438 A240 A841 A142 A244 A245 A346 A347 A149 A250 A652 A153 A156 A157 A158 A159 A160 A262 A264 A166 A170 A275 A1676 A178 A1100 A9101 A1110 A2121 A1125 A1165 A1170 A1180 A1195 A2
- U(DSS)
- -40 V14-60 V11-30 V9-100 V8-50 V7-200 V6-20 V4-250 V3-55 V2-160 V1-18 V112 V120 V1624 V125 V330 V3940 V2345 V250 V855 V3260 V7765 V975 V1280 V385 V190 V1100 V59150 V29200 V38250 V11300 V3400 V13450 V1500 V38600 V45650 V7800 V9900 V41000 V71500 V1
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MOSFETS
1136 ErgebnisseDetails | Preis | Verfügbarkeit | Gehäuse | U(GS)(th) max. | C(ISS) | R(DS)(on) Referenz-Strom | R(DS)(on) | Leistung (max) P(TOT) | Montageart | U(DSS) | Ausführung | Verpackungsart | Zertifizierungen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLZ44NPBF MOSFET 1 HEXFET 110 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162877 EAN:2050000044786 Teile-Nr.:IRLZ44NPBF zzgl. MwSt. 3525 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220 | 2 V | 1700 pF | 25 A | 22 mΩ | 110 W | Durchführungsloch | 55 V | HEXFET | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor BS170 MOSFET 1 N-Kanal 350 mW TO-92Conrad Electronic Bestell-Nr.:158950 EAN:2050000039232 Teile-Nr.:BS170 zzgl. MwSt. 2170 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 15 | TO-92 | 3 V | 60 pF | 200 mA | 5 Ω | 350 mW | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor 2N7000 MOSFET 1 N-Kanal 400 mW TO-92Conrad Electronic Bestell-Nr.:151034 EAN:2050000012570 Teile-Nr.:2N7000 zzgl. MwSt. 7348 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 7 | TO-92 | 3 V | 50 pF | 500 mA | 5 Ω | 400 mW | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF4905PBF MOSFET 1 P-Kanal 200 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162399 EAN:2050000040924 Teile-Nr.:IRF4905PBF zzgl. MwSt. 174 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 4 V | 3400 pF | 38 A | 20 mΩ | 200 W | Durchführungsloch | 55 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF3205 MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220ABConrad Electronic Bestell-Nr.:158712 EAN:2050000039195 Teile-Nr.:IRF3205 zzgl. MwSt. 179 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 3247 pF | 62 A | 8 mΩ | 200 W | Oberflächenmontage | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor 2N7000TA MOSFET 1 N-Kanal 400 mW TO-92-3Conrad Electronic Bestell-Nr.:1262890 EAN:2050002635845 Teile-Nr.:2N7000TA -45% 0,13 € 0,07143 € zzgl. MwSt. 1335 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-92-3 | 3 V | 50 pF | 500 mA | 5 Ω | 400 mW | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor BS170-D27Z MOSFET 1 N-Kanal 830 mW TO-92-3Conrad Electronic Bestell-Nr.:1263060 EAN:2050002637542 Teile-Nr.:BS170-D27Z -56% 0,18 € 0,08 € zzgl. MwSt. 2030 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-92-3 | 3 V | 40 pF | 200 mA | 5 Ω | 830 mW | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLZ34NPBF MOSFET 1 HEXFET 68 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162873 EAN:2050000044755 Teile-Nr.:IRLZ34NPBF zzgl. MwSt. 1182 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220 | 2 V | 880 pF | 16 A | 35 mΩ | 68 W | Durchführungsloch | 55 V | HEXFET | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFZ44NPBF MOSFET 1 N-Kanal 94 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162747 EAN:2050000043772 Teile-Nr.:IRFZ44NPBF zzgl. MwSt. 766 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 2 | TO-220 | 4 V | 1470 pF | 25 A | 17.5 mΩ | 94 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF9540NPBF MOSFET 1 P-Kanal 140 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162537 EAN:2050000041976 Teile-Nr.:IRF9540NPBF zzgl. MwSt. 37 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 2 | TO-220 | 4 V | 1300 pF | 11 A | 117 mΩ | 140 W | Durchführungsloch | 100 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor BSS123 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW SOT-23-3Conrad Electronic Bestell-Nr.:1263073 EAN:2050002637672 Teile-Nr.:BSS123 -56% 0,07 € 0,03061 € zzgl. MwSt. 11065 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | SOT-23-3 | 2 V | 73 pF | 170 mA | 6 Ω | 360 mW | Oberflächenmontage | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay SI2319CDS-T1-GE3 MOSFET Tape on Full reelConrad Electronic Bestell-Nr.:3409648 EAN:2050012215310 Teile-Nr.:SI2319CDS-T1-GE3 -64% 0,33 € 0,12007 € zzgl. MwSt. 9 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF3710 MOSFET 1 N-Kanal 160 W TO-220ABConrad Electronic Bestell-Nr.:162397 EAN:2050000040900 Teile-Nr.:IRF3710 zzgl. MwSt. 12 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 2900 pF | 35 A | 18 mΩ | 160 W | Oberflächenmontage | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor 2N7002 MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3Conrad Electronic Bestell-Nr.:1262896 EAN:2050002635906 Teile-Nr.:2N7002 zzgl. MwSt. 2009 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 30 | SOT-23-3 | 2.5 V | 50 pF | 500 mA | 5 Ω | 350 mW | Oberflächenmontage | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF740PBF MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162462 EAN:2050000041501 Teile-Nr.:IRF740PBF zzgl. MwSt. 79 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 4 V | 1400 pF | 6 A | 550 mΩ | 125 W | Durchführungsloch | 400 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLML0100TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W SOT-23Conrad Electronic Bestell-Nr.:161183 EAN:2050001542243 Teile-Nr.:IRLML0100TRPBF -34% 0,14 € 0,09184 € zzgl. MwSt. 168 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | SOT-23 | 2.5 V | 290 pF | 1.6 A | 220 mΩ | 1.3 W | Oberflächenmontage | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF9Z34NPBF MOSFET 1 P-Kanal 68 W TO-220ABConrad Electronic Bestell-Nr.:3026262 EAN:2050009792053 Teile-Nr.:IRF9Z34NPBF zzgl. MwSt. 149 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220AB | - | - | - | 0.1 Ω | 68 W | Durchführungsloch | - | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF540NPBF MOSFET 1 N-Kanal 130 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162412 EAN:2050000041037 Teile-Nr.:IRF540NPBF zzgl. MwSt. 615 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 4 V | 1960 pF | 16 A | 44 mΩ | 130 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor RFP70N06 MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220ABConrad Electronic Bestell-Nr.:151569 EAN:2050000014499 Teile-Nr.:RFP70N06 zzgl. MwSt. 57 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 2250 pF | 70 A | 14 mΩ | 150 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP55NF06L MOSFET 1 N-Kanal 95 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:3026611 EAN:2050009795559 Teile-Nr.:STP55NF06L zzgl. MwSt. 460 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220 | - | - | - | 0.018 Ω | 95 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFU9024NPBF MOSFET 1 P-Kanal 38 W I-PAKConrad Electronic Bestell-Nr.:162730 EAN:2050000043642 Teile-Nr.:IRFU9024NPBF zzgl. MwSt. 164 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | I-PAK | 4 V | 350 pF | 6.6 A | 175 mΩ | 38 W | Durchführungsloch | 55 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB4227PBF MOSFET 1 N-Kanal 330 W TO-220ABConrad Electronic Bestell-Nr.:160940 EAN:2050001540478 Teile-Nr.:IRFB4227PBF zzgl. MwSt. 38 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 5 V | 4600 pF | 46 A | 24 mΩ | 330 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3806PBF MOSFET 1 N-Kanal 71 W TO-220ABConrad Electronic Bestell-Nr.:160929 EAN:2050001540409 Teile-Nr.:IRFB3806PBF zzgl. MwSt. 240 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220AB | 4 V | 1150 pF | 25 A | 15.8 mΩ | 71 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor BUZ11-NR4941 MOSFET 1 N-Kanal 75 W TO-220-3Conrad Electronic Bestell-Nr.:151334 EAN:2050000013799 Teile-Nr.:BUZ11NR4941 -62% 1,08 € 0,41 € zzgl. MwSt. 269 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220-3 | 4 V | 2000 pF | 15 A | 40 mΩ | 75 W | Durchführungsloch | 50 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP240 MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-247Conrad Electronic Bestell-Nr.:162641 EAN:2050000042898 Teile-Nr.:IRFP240 -52% zzgl. MwSt. 2 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247 | 4 V | 1300 pF | 12 A | 180 mΩ | 150 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Diotec 2N7000 MOSFET 0.35 W TO-92Conrad Electronic Bestell-Nr.:2808999 EAN:2050008896974 Teile-Nr.:2N7000 zzgl. MwSt. 1243 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 100 | TO-92 | - | - | - | - | 0.35 W | Durchsteckmontage | 60 V | - | - | RoHS | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRL3705NPBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162784 EAN:2050000044076 Teile-Nr.:IRL3705NPBF zzgl. MwSt. 190 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 2 V | 3600 pF | 46 A | 10 mΩ | 170 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFZ44PBF MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220ABConrad Electronic Bestell-Nr.:597269 EAN:2050003223393 Teile-Nr.:IRFZ44PBF zzgl. MwSt. 25 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 1900 pF | 31 A | 28 mΩ | 150 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF1310NPBF MOSFET 1 N-Kanal 160 W TO-220ABConrad Electronic Bestell-Nr.:162368 EAN:2050000040672 Teile-Nr.:IRF1310NPBF 0,56 € zzgl. MwSt. 64 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 1900 pF | 22 A | 36 mΩ | 160 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRL540NPBF MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162798 EAN:2050000044175 Teile-Nr.:IRL540NPBF zzgl. MwSt. 355 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 2 V | 1800 pF | 18 A | 44 mΩ | 140 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF640NPBF MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162424 EAN:2050000041150 Teile-Nr.:IRF640NPBF zzgl. MwSt. 418 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 4 V | 1160 pF | 11 A | 150 mΩ | 150 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP460PBF MOSFET 1 N-Kanal 280 W TO-247Conrad Electronic Bestell-Nr.:162659 EAN:2050000043055 Teile-Nr.:IRFP460PBF zzgl. MwSt. 226 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247 | 4 V | 4200 pF | 12 A | 270 mΩ | 280 W | Durchführungsloch | 500 V | N-Kanal | - | - | |||
 International Rectifier P-Ch Leistungs-MOSFET 55 V 74 A 200 W TO 220 ABMEPATRONIK Elektronische Bauelemente Vertriebs GmbH Bestell-Nr.:846990437 Teile-Nr.:IRF4905PBF zzgl. MwSt. 1200 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 5 | TO-220 | 20 V | 3400 pF | -74 A | 0.02 Ω | 200 W | Durchsteckmontage | -55 V | P-Kanal | Tube | RoHS | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF9530NPBF MOSFET 1 P-Kanal 79 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162536 EAN:2050000041969 Teile-Nr.:IRF9530NPBF zzgl. MwSt. 66 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220 | 4 V | 760 pF | 8.4 A | 200 mΩ | 79 W | Durchführungsloch | 100 V | P-Kanal | - | - | |||
 Taiwan Semiconductor TSM260P02CX RFG MOSFET SOT-23 Tape on Full reelConrad Electronic Bestell-Nr.:3017337 EAN:2050009615628 Teile-Nr.:TSM260P02CX RFG zzgl. MwSt. 3900 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 100 | SOT-23 | - | - | - | - | - | Leiterplattenmontage | - | - | Tape on Full reel | RoHS | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies BSS138 MOSFET 1 N-Kanal 360 mW SOT-23Conrad Electronic Bestell-Nr.:152928 EAN:2050000019500 Teile-Nr.:BSS138 zzgl. MwSt. 1160 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 20 | SOT-23 | 1.5 V | 27 pF | 220 mA | 3.5 Ω | 360 mW | Oberflächenmontage | 50 V | N-Kanal | - | - | |||
Infineon Technologies IRLML5203PBF MOSFET 1 P-Kanal 1.25 W SOT-23Conrad Electronic Bestell-Nr.:3026300 EAN:2050009792435 Teile-Nr.:IRLML5203TRPBF -71% 0,24 € 0,0703 € zzgl. MwSt. 25 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10 | SOT-23 | - | - | - | 0.165 Ω | 1.25 W | Oberflächenmontage | - | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF610PBF MOSFET 1 N-Kanal 36 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162414 EAN:2050000041051 Teile-Nr.:IRF610PBF zzgl. MwSt. 96 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220 | 4 V | 140 pF | 2 A | 1.5 Ω | 36 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP064NPBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-247Conrad Electronic Bestell-Nr.:162637 EAN:2050000042850 Teile-Nr.:IRFP064NPBF zzgl. MwSt. 92 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247 | 4 V | 4000 pF | 59 A | 8 mΩ | 200 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP264PBF MOSFET 1 N-Kanal 280 W TO-247ACConrad Electronic Bestell-Nr.:162645 EAN:2050000042928 Teile-Nr.:IRFP264PBF zzgl. MwSt. 18 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247AC | 4 V | 5400 pF | 23 A | 75 mΩ | 280 W | Durchführungsloch | 250 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF9640PBF MOSFETConrad Electronic Bestell-Nr.:597153 EAN:2050003222402 Teile-Nr.:IRF9640PBF -20% zzgl. MwSt. 300 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLB3034PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220ABConrad Electronic Bestell-Nr.:161162 EAN:2050001542045 Teile-Nr.:IRLB3034PBF zzgl. MwSt. 583 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 2.5 V | 10315 pF | 195 A | 1.7 mΩ | 375 W | Durchführungsloch | 40 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF2804PBF MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-220ABConrad Electronic Bestell-Nr.:160865 EAN:2050001539793 Teile-Nr.:IRF2804PBF zzgl. MwSt. 47 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 6450 pF | 75 A | 2.3 mΩ | 300 W | Durchführungsloch | 40 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor FDP18N50 MOSFET 1 N-Kanal 235 W TO-220-3Conrad Electronic Bestell-Nr.:1263794 EAN:2050002644885 Teile-Nr.:FDP18N50 zzgl. MwSt. 6 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220-3 | 5 V | 2860 pF | 9 A | 265 mΩ | 235 W | Durchführungsloch | 500 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLML2030TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W SOT-23Conrad Electronic Bestell-Nr.:161184 EAN:2050001542250 Teile-Nr.:IRLML2030TRPBF zzgl. MwSt. 1498 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 15 | SOT-23 | 2.3 V | 110 pF | 2.7 A | 100 mΩ | 1.3 W | Oberflächenmontage | 30 V | N-Kanal | - | - | |||
Infineon Technologies BSP89 MOSFET 1 N-Kanal 1.8 W SOT-223Conrad Electronic Bestell-Nr.:3026213 EAN:2050009791568 Teile-Nr.:BSP89H6327XTSA1 zzgl. MwSt. 3 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | SOT-223 | - | - | - | 7.5 Ω | 1.8 W | Oberflächenmontage | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor 2N7002K MOSFET 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3Conrad Electronic Bestell-Nr.:1262893 EAN:2050002635876 Teile-Nr.:2N7002K zzgl. MwSt. 414 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10 | SOT-23-3 | 2.5 V | 50 pF | 500 mA | 2 Ω | 350 mW | Oberflächenmontage | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
Vishay IRF520PBF MOSFET 1 N-Kanal 60 W TO-220AB TubeConrad Electronic Bestell-Nr.:3026463 EAN:2050009789299 Teile-Nr.:IRF520PBF zzgl. MwSt. 905 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 25Vielfache: 25 | TO-220AB | 20 V | 360 pF | 9.2 A | 0.27 Ω | 60 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | Tube | RoHS | |||
Bestell-Nr.:3026279 EAN:2050009792220 Teile-Nr.:IRFR5410TRPBF zzgl. MwSt. 3600 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 50Vielfache: 50 | TO-252AA | - | - | - | 0.205 Ω | 66 W | Durchführungsloch | - | P-Kanal | - | - | |||
Infineon Technologies IRF9540NSPBF-GURT MOSFET 1 P-Kanal 110 W D2PAKConrad Electronic Bestell-Nr.:3026261 EAN:2050009792046 Teile-Nr.:IRF9540NSTRLPBF zzgl. MwSt. 17 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | D2PAK | - | - | - | 0.117 Ω | 110 W | Oberflächenmontage | - | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFML8244TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 1.25 W SOT-23Conrad Electronic Bestell-Nr.:564052 EAN:2050003203418 Teile-Nr.:IRFML8244TRPBF zzgl. MwSt. 105 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | SOT-23 | 2.35 V | 430 pF | 5.8 A | 24 mΩ | 1.25 W | Oberflächenmontage | 25 V | N-Kanal | - | - | |||
Vishay IRFD9210PBF MOSFET 1 P-Kanal 1.0 W DIP-4 TubeConrad Electronic Bestell-Nr.:3026504 EAN:2050009794705 Teile-Nr.:IRFD9210PBF zzgl. MwSt. 2600 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 50Vielfache: 50 | DIP-4 | - | - | - | 3 Ω | 1.0 W | Durchführungsloch | - | P-Kanal | Tube | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF9510PBF MOSFET 1 P-Kanal 43 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162533 EAN:2050000041945 Teile-Nr.:IRF9510PBF zzgl. MwSt. 57 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 3 | TO-220 | 4 V | 200 pF | 2.4 A | 1.2 Ω | 43 W | Durchführungsloch | 100 V | P-Kanal | - | - | |||
 SI9435BDY SOP8 P-CHANNEL POWER MOSFET SMT VishayMEPATRONIK Elektronische Bauelemente Vertriebs GmbH Bestell-Nr.:844027540 Teile-Nr.:SI9435BDY zzgl. MwSt. 830 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 10 | SOP-8 | 20 V | - | -4.1 A | 0.43 Ω | 2.5 W | Oberflächenmontage | -30 V | P-Kanal | Tape and Reel | RoHS | |||
Infineon Technologies IRL3705ZSPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 130 W D2PAKConrad Electronic Bestell-Nr.:3026293 EAN:2050009792367 Teile-Nr.:IRL3705ZSTRLPBF zzgl. MwSt. 1600 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10Vielfache: 10 | D2PAK | - | - | - | 0.012 Ω | 130 W | Oberflächenmontage | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFB11N50APBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162553 EAN:2050000042126 Teile-Nr.:IRFB11N50APBF zzgl. MwSt. 32 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 4 V | 1423 pF | 6.6 A | 520 mΩ | 170 W | Durchführungsloch | 500 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF1404PBF MOSFET 1 N-Kanal 333 W TO-220ABConrad Electronic Bestell-Nr.:162372 EAN:2050000040719 Teile-Nr.:IRF1404PBF zzgl. MwSt. 162 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 5669 pF | 121 A | 4 mΩ | 333 W | Durchführungsloch | 40 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay SI2303CDS-T1-GE3 MOSFET 1 P-Kanal 2.3 W SOT-23-3Conrad Electronic Bestell-Nr.:597295 EAN:2050003223614 Teile-Nr.:SI2303CDS-T1-GE3 -69% 0,26 € 0,08 € zzgl. MwSt. 2817 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | SOT-23-3 | 3 V | 155 pF | 1.9 A | 190 mΩ | 2.3 W | Oberflächenmontage | 30 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay SI2302CDS-T1-GE3 MOSFET 1 N-Kanal 710 mW SOT-23-3Conrad Electronic Bestell-Nr.:597294 EAN:2050003223607 Teile-Nr.:SI2302CDS-T1-GE3 -67% 0,30 € 0,10 € zzgl. MwSt. 2515 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | SOT-23-3 | 0.85 V | - | 3.6 A | 57 mΩ | 710 mW | Oberflächenmontage | 20 V | N-Kanal | - | - | |||
STMicroelectronics STP6NK90ZFP MOSFET 1 N-Kanal 30 W TO-220FPConrad Electronic Bestell-Nr.:3026559 EAN:2050009794033 Teile-Nr.:STP6NK90ZFP zzgl. MwSt. 370 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10Vielfache: 10 | TO-220FP | - | - | - | 2 Ω | 30 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 2SK2761 TO220 ISOLIERT N-CHANNEL MOSFET THT FUJIMEPATRONIK Elektronische Bauelemente Vertriebs GmbH Bestell-Nr.:936642844 Teile-Nr.:2SK2761 zzgl. MwSt. 220 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 5 | TO-220 | 30 V | 1100 pF | 10 A | 0.85 Ω | 50 W | Durchsteckmontage | 600 V | N-Kanal | Bulk | RoHS | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP10NK60Z MOSFET 1 N-Kanal 115 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:3026587 EAN:2050009794316 Teile-Nr.:STP10NK60Z zzgl. MwSt. 460 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10Vielfache: 10 | TO-220 | - | - | - | 0.75 Ω | 115 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP60NF06L MOSFET 1 N-Kanal 110 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:3026614 EAN:2050009795580 Teile-Nr.:STP60NF06L zzgl. MwSt. 710 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10Vielfache: 10 | TO-220 | - | - | - | 0.014 Ω | 110 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
Infineon Technologies IRF530NSPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 70 W D2PAKConrad Electronic Bestell-Nr.:3026231 EAN:2050009791742 Teile-Nr.:IRF530NSTRLPBF zzgl. MwSt. 3510 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10Vielfache: 10 | D2PAK | - | - | - | 0.09 Ω | 70 W | Oberflächenmontage | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP40NF10L MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:3026606 EAN:2050009795504 Teile-Nr.:STP40NF10L zzgl. MwSt. 390 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10Vielfache: 10 | TO-220 | - | - | - | 0.033 Ω | 150 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
Infineon Technologies IRF2804SPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 300 W D2PAKConrad Electronic Bestell-Nr.:3026348 EAN:2050009792916 Teile-Nr.:IRF2804STRLPBF zzgl. MwSt. 760 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10Vielfache: 10 | D2PAK | - | - | - | 0.002 Ω | 300 W | Oberflächenmontage | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor FQA36P15 MOSFET 1 P-Kanal 294 W TO-3P-3Conrad Electronic Bestell-Nr.:1264087 EAN:2050002647817 Teile-Nr.:FQA36P15 -54% 4,19 € 1,92 € zzgl. MwSt. 141 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-3P-3 | 4 V | 3320 pF | 18 A | 90 mΩ | 294 W | Durchführungsloch | 150 V | P-Kanal | - | - | |||
Bestell-Nr.:3026326 EAN:2050009792695 Teile-Nr.:IPA60R380C6XKSA1 zzgl. MwSt. 291 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220-FULLPAK | - | - | - | 0.38 Ω | 31 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF540PBF MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220ABConrad Electronic Bestell-Nr.:597113 EAN:2050003222051 Teile-Nr.:IRF540PBF zzgl. MwSt. 225 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 2 | TO-220AB | 4 V | 1700 pF | 17 A | 77 mΩ | 150 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
Infineon Technologies IRF7324PBF-GURT MOSFET 2 P-Kanal 2.0 W SO-8Conrad Electronic Bestell-Nr.:3026244 EAN:2050009791872 Teile-Nr.:IRF7324TRPBF zzgl. MwSt. 30 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10 | SO-8 | - | - | - | 0.026 Ω | 2.0 W | Oberflächenmontage | - | P-Kanal | - | - | |||
Bestell-Nr.:3026532 EAN:2050009794989 Teile-Nr.:IRLZ14PBF zzgl. MwSt. 11524 Stück auf Lager Lieferung Do., 5. Nov. | TO-220AB | - | - | - | 0.28 Ω | 43 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | Tube | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor NDT2955 MOSFET 1 P-Kanal 1.1 W SOT-223-4Conrad Electronic Bestell-Nr.:1264978 EAN:2050002656727 Teile-Nr.:NDT2955 -50% 0,50 € 0,25 € zzgl. MwSt. 3681 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | SOT-223-4 | 4 V | 601 pF | 2.5 A | 300 mΩ | 1.1 W | Oberflächenmontage | 60 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STW26NM60N MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-247Conrad Electronic Bestell-Nr.:3026628 EAN:2050009795726 Teile-Nr.:STW26NM60N zzgl. MwSt. 75 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 5Vielfache: 5 | TO-247 | - | - | - | 0.165 Ω | 140 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB7437PBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:564037 EAN:2050003203265 Teile-Nr.:IRFB7437PBF zzgl. MwSt. 55 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220 | 3.9 V | 7330 pF | 100 A | 2 mΩ | 230 W | Durchführungsloch | 40 V | N-Kanal | - | - | |||
 VISHAY P-Ch Leistungs-MOSFET 100 V 19 A 150 W TO 220 ABMEPATRONIK Elektronische Bauelemente Vertriebs GmbH Bestell-Nr.:846989044 Teile-Nr.:IRF9540PBF zzgl. MwSt. 395 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 5 | TO-220 | 20 V | 1400 pF | -19 A | 0.2 Ω | 150 W | Durchsteckmontage | -100 V | P-Kanal | Tube | RoHS | |||
 2SK2545 TO220 ISOLIERT N-CHANNEL MOSFET THT Toshiba ElectronicsMEPATRONIK Elektronische Bauelemente Vertriebs GmbH Bestell-Nr.:844029591 Teile-Nr.:2SK2545 zzgl. MwSt. 1493 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt. Min: 4 | TO-220 | 30 V | 1300 pF | 6 A | 0.9 Ω | 40 W | Durchsteckmontage | 600 V | N-Kanal | Tube | RoHS | |||
Bestell-Nr.:937380691 Teile-Nr.:BSC190N15NS3GATMA1 4,22 € zzgl. MwSt. 609 Stück auf Lager Lieferung Do., 5. Nov. | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |||
 Abb. ähnlich DIODES Incorporated DMP2035U-7 MOSFET Tape on Full reelConrad Electronic Bestell-Nr.:3409457 EAN:2050012213408 Teile-Nr.:DMP2035U-7 -64% 0,12 € 0,04313 € zzgl. MwSt. 847 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB4110PBF MOSFET 1 N-Kanal 370 W TO-220ABConrad Electronic Bestell-Nr.:160932 EAN:2050001540430 Teile-Nr.:IRFB4110PBF zzgl. MwSt. 220 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 9620 pF | 75 A | 4.5 mΩ | 370 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Diotec MMFTN3402 MOSFET 1 W SOT-23Conrad Electronic Bestell-Nr.:2810198 EAN:2050008909216 Teile-Nr.:MMFTN3402 zzgl. MwSt. 2155 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 100 | SOT-23 | - | - | - | - | 1 W | Oberflächenmontage | 30 V | - | - | RoHS | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLML6244TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W SOT-23Conrad Electronic Bestell-Nr.:161189 EAN:2050001542298 Teile-Nr.:IRLML6244TRPBF zzgl. MwSt. 421 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10 | SOT-23 | 1.1 V | 700 pF | 6.3 A | 21 mΩ | 1.3 W | Oberflächenmontage | 20 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Diotec MMFTP3334K MOSFET P-Kanal 1 W SOT-23Conrad Electronic Bestell-Nr.:2810211 EAN:2050008909339 Teile-Nr.:MMFTP3334K -40% 0,10 € 0,05959 € zzgl. MwSt. 2353 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | SOT-23 | -1.4 V | - | -3 A | - | 1 W | Oberflächenmontage | -30 V | P-Kanal | - | RoHS | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies BSS214NWH6327XTSA1 MOSFET Tape on Full reelConrad Electronic Bestell-Nr.:3409749 EAN:2050012216324 Teile-Nr.:BSS214NWH6327XTSA1 -62% 0,09 € 0,03424 € zzgl. MwSt. 2062 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
 Abb. ähnlich Bestell-Nr.:3409755 EAN:2050012216386 Teile-Nr.:BSS806NH6327XTSA1 -63% 0,12 € 0,04408 € zzgl. MwSt. 2520 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Tape on Full reel | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF1404ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220ABConrad Electronic Bestell-Nr.:164331 EAN:2050000052903 Teile-Nr.:IRF1404ZPBF zzgl. MwSt. 81 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220AB | 4 V | 4340 pF | 75 A | 3.7 mΩ | 200 W | Durchführungsloch | 40 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor HUF75645P3 MOSFET 1 N-Kanal 310 W TO-220-3Conrad Electronic Bestell-Nr.:1264416 EAN:2050002651104 Teile-Nr.:HUF75645P3 2,34 € zzgl. MwSt. 14 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-220-3 | 4 V | 3790 pF | 75 A | 14 mΩ | 310 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP460APBF MOSFET 1 N-Kanal 280 W TO-247Conrad Electronic Bestell-Nr.:162660 EAN:2050000043062 Teile-Nr.:IRFP460APBF zzgl. MwSt. 75 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen | TO-247 | 4 V | 3100 pF | 12 A | 270 mΩ | 280 W | Durchführungsloch | 500 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF9Z34N MOSFET 1 P-Kanal 3.8 W TO-220Conrad Electronic Bestell-Nr.:162551 EAN:2050000042102 Teile-Nr.:IRF9Z34N zzgl. MwSt. 805 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 5 | TO-220 | 4 V | 620 pF | 10 A | 100 mΩ | 3.8 W | Oberflächenmontage | 55 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLML6346TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W SOT-23Conrad Electronic Bestell-Nr.:161193 EAN:2050001542328 Teile-Nr.:IRLML6346TRPBF zzgl. MwSt. 2308 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10 | SOT-23 | 1.1 V | 270 pF | 3.4 A | 63 mΩ | 1.3 W | Oberflächenmontage | 30 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLML6344TRPBF MOSFET 1 N-Kanal 1.3 W SOT-23Conrad Electronic Bestell-Nr.:161191 EAN:2050001542311 Teile-Nr.:IRLML6344TRPBF zzgl. MwSt. 411 Stück auf Lager Sofort-Lieferung morgen Min: 10 | SOT-23 | 1.1 V | 650 pF | 5 A | 29 mΩ | 1.3 W | Oberflächenmontage | 30 V | N-Kanal | - | - | |||
Ratgeber
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren – kurz MOSFETs – sind die bei weitem häufigsten Transistoren in digitalen Schaltungen. Da sie sich enorm verkleinern lassen, finden sie sich in riesigen Mengen in Speicherchips oder Mikroprozessoren. So enthält beispielsweise ein moderner DDR4-Speicherriegel mit 128 Gigabyte Kapazität über 137 Milliarden Transistoren.
Erfahren Sie hier, wie MOSFETS aufgebaut sind, wie sie funktionieren und für welche Einsatzzwecke sie geeignet sind.
Ihre Fähigkeit, die Leitfähigkeit mit der Höhe der angelegten Spannung zu ändern, lässt sich zur Verstärkung oder zum Schalten von elektronischen Signalen nutzen.
Letztlich ist der unipolare MOSFET ein über die Spannung steuerbarer Widerstand. Im Vergleich zu einem Bipolartransistor benötigt er fast keinen Eingangsstrom zur Steuerung des Laststroms, einer der größten Vorteile dieses Bauelements.
Die Bezeichnung "Metall-Oxid-Halbleiter" beziehungsweise „metal-oxid-semiconductor“ (MOS) bezieht sich typischerweise auf ein Metall-Gate, eine Oxid-Isolation und einen Halbleiter, in der Regel Silizium.
Das Metall in MOSFET ist jedoch heutzutage oft irreführend, da das Gate-Material ebenso eine Schicht aus Polysilizium (polykristallines Silizium) sein kann.
Neben Oxid lassen sich auch verschiedene dielektrische Materialien verwenden, um effiziente Kanäle bei kleineren angelegten Spannungen zu erhalten. Der MOS-Kondensator ist ebenfalls ein Teil dieser Struktur.
MOSFETs sind entweder Teil integrierter MOS-Schaltkreis-Chips oder diskrete Bauteile. Möglich sind zudem Single-Gate- oder Multi-Gate-Ausführungen.
Da alle entweder dem p-Typ- oder dem n-Typ-Halbleitern entsprechen, lassen sich komplementäre Paare für Schaltkreise mit sehr geringem Stromverbrauch herstellen.
Produziert werden MOSFETs in zwei Varianten: als „normal leitend“ – der sogenannte Verarmungstyp – und als normal sperrend – der Anreicherungstyp.
Allen Typen gemeinsam sind die drei Anschlüsse „S“ für Source, „D“ für Drain“ und „G“ für Gate, im Deutschen entsprechend Quelle, Abfluss und Steueranschluss.
Ein MOSFET beruht auf der Steuerung der Ladungsträgerkonzentration über einen MOS-Kondensator zwischen den Substratelektroden und dem Gate. Das Gate befindet sich auf der Oberseite des Substrats und ist von allen anderen Bereichen des Bauelements durch eine dielektrische Schicht isoliert, zum Beispiel durch Siliziumdioxid. Werden andere dielektrische Materialien als Oxide verwendet, spricht man von einem Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor, kurz MISFET. Eingebürgert hat sich außerdem die für alle Typen geltende Abkürzung IGFET für einen Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate.
Im Vergleich zum reinen MOS-Kondensator enthält der MOSFET die beiden zusätzlichen Anschlüsse Source und Drain, die jeweils mit hochdotierten Bereichen verbunden sind, getrennt durch den Substratbereich. Diese Bereiche können entweder vom p-Typ oder vom n-Typ sein. Source und Drain sind stark dotiert und werden in der Notation durch ein '+'-Zeichen hinter dem Dotierungstyp angegeben.
Wenn es sich bei dem IGFET um einen n-Kanal handelt, sind die Dotierungsbereiche für Source und Drain "n+"-Bereiche und das Substrat ist ein "p"-Typ-Bereich.
Beim p-Kanal sind die Dotierungsbereiche für Source und Drain "p+"-Bereiche und das Substrat ist ein "n"-Typ-Bereich. Der Source-Anschluss wird so genannt, weil er den Ursprung der Ladungsträger bildet, die durch den Kanal fließen. Analog dazu ist der Drain der Punkt, an dem die Ladungsträger den Kanal verlassen.
Beim Anlegen einer negativen Gate-Source-Spannung entsteht auf einer n-Typ-Substratoberfläche ein p-Typ-Kanal, analog zum n-Kanal, jedoch mit entgegengesetzten Polaritäten der Ladungen und Spannungen.
Ist die Spannung kleiner als die Schwellenspannung, verschwindet der Kanal und es kann nur ein kleiner Unterschwellenstrom zwischen Drain und Source fließen.
FAQ – häufig gestellte Fragen
In welchen Gehäuseformen und für welche Montagearten gibt es IGFETs?
Diese Bauteile gibt es sowohl mit Lötanschlüssen als auch für die SMD-Montage direkt auf der Platine. Einige Typen besitzen Durchführungslöcher für Schrauben und das Anbringen von Kühlkörpern.
Für welchen maximalen Temperaturbereich sind MOSFETs ausgelegt?
Gängige Maxima reichen von 125 bis zu 225 Grad Celsius.
Was ist der Unterschied zwischen einem Transistor und einem Feldeffekttransistor?
Letztlich gehören beide zur Gruppe der Transistoren und können als Schalter oder Verstärker eingesetzt werden. Feldeffekttransistoren arbeiten im Gegensatz zu Transistoren mit einer Steuerspannung beziehungsweise einem elektrischen Feld, ein Steuerstrom fließt dabei nicht. Außerdem lassen sich Feldeffekttransistoren auch für Wechselstromverstärkung einsetzen, bei bipolaren Transistoren ist das nicht möglich.