- Produkt-Art
- MOSFET340
- Marke
- Infineon Technologies191Vishay67STMicroelectronics50ON Semiconductor29IXYS3
- VerkäuferConrad Electronic SE
- Preis
- Leistung (max) P(TOT)
- 350 mW1400 mW2830 mW21.0 W13.8 W220 W225 W129 W130 W131 W232 W134 W336 W238 W240 W741 W142 W443 W544 W145 W948 W550 W451 W154 W360 W463 W166 W368 W770 W371 W274 W675 W578 W179 W380 W382 W183 W288 W290 W491 W192 W194 W195 W198 W199 W3101 W1107 W1110 W21115 W2120 W2125 W18128 W1130 W4131 W1135 W1140 W15143 W2144 W4150 W15151 W4156 W1160 W6170 W6176 W3178 W1180 W3190 W10200 W8208 W3214 W1220 W1227 W1230 W14235 W1250 W3277 W1278 W2280 W7294 W3300 W10310 W4312 W1312.5 W1320 W2330 W4333 W1340 W1341 W4350 W2360 W1370 W4375 W7380 W3390 W1391 W1470 W1481 W2517 W1520 W1580 W1595 W11040 W1
- R(DS)(on) Referenz-Strom
- 200 mA3500 mA2900 mA11.2 A11.5 A21.9 A12 A12.2 A22.4 A12.5 A12.7 A12.75 A12.8 A12.9 A13 A13.1 A13.3 A13.4 A13.5 A13.7 A14 A24.1 A14.5 A24.8 A35.4 A15.5 A25.7 A16 A26.6 A37.2 A38.4 A58.5 A19 A19.2 A19.6 A110 A511 A612 A413 A313.5 A114 A115 A316 A617 A318 A321 A122 A323 A223.5 A124 A325 A325.5 A126 A128 A330 A131 A232 A133 A335 A238 A240 A441 A142 A144 A245 A246 A347 A149 A150 A352 A156 A157 A158 A159 A160 A262 A165 A166 A170 A275 A1676 A178 A1100 A9101 A1110 A2121 A1125 A1165 A1170 A1180 A1195 A2
- U(DSS)
- -100 V1-60 V124 V130 V440 V1050 V255 V2360 V3275 V7100 V35150 V8200 V21250 V4300 V3400 V6500 V20600 V11800 V3900 V11000 V3
- Gehäuse
- Nur ISO-zertifizierte Verkäufer
- Montageart1
- Ausführung
- R(DS)(on)
- C(ISS)
- U(GS)(th) max.
- Verpackungsart
- Zertifizierungen
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Mosfets
340 ErgebnisseDetails | Preis | Verfügbarkeit | Gehäuse | U(GS)(th) max. | C(ISS) | R(DS)(on) Referenz-Strom | R(DS)(on) | Leistung (max) P(TOT) | Montageart | U(DSS) | Ausführung | Zertifizierungen | Verpackungsart | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLZ44NPBF MOSFET 1 HEXFET 110 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 4426 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. Min: 3 | TO-220 | 2 V | 1700 pF | 25 A | 22 mΩ | 110 W | Durchführungsloch | 55 V | HEXFET | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor BS170 MOSFET 1 N-Kanal 350 mW TO-92Conrad Electronic zzgl. MwSt. 3065 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. Min: 15 | TO-92 | 3 V | 60 pF | 200 mA | 5 Ω | 350 mW | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor 2N7000 MOSFET 1 N-Kanal 400 mW TO-92Conrad Electronic zzgl. MwSt. 7596 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. Min: 7 | TO-92 | 3 V | 50 pF | 500 mA | 5 Ω | 400 mW | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF4905PBF MOSFET 1 P-Kanal 200 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 354 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220 | 4 V | 3400 pF | 38 A | 20 mΩ | 200 W | Durchführungsloch | 55 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLZ34NPBF MOSFET 1 HEXFET 68 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 1323 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. Min: 3 | TO-220 | 2 V | 880 pF | 16 A | 35 mΩ | 68 W | Durchführungsloch | 55 V | HEXFET | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFZ44NPBF MOSFET 1 N-Kanal 94 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 897 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. Min: 2 | TO-220 | 4 V | 1470 pF | 25 A | 17.5 mΩ | 94 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLB3034PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 638 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220AB | 2.5 V | 10315 pF | 195 A | 1.7 mΩ | 375 W | Durchführungsloch | 40 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLB3036PBF MOSFET 1 N-Kanal 380 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 24 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220AB | 2.5 V | 11210 pF | 165 A | 2.4 mΩ | 380 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRL540NPBF MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 465 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220 | 2 V | 1800 pF | 18 A | 44 mΩ | 140 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB4110PBF MOSFET 1 N-Kanal 370 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 109 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220AB | 4 V | 9620 pF | 75 A | 4.5 mΩ | 370 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF9540NPBF MOSFET 1 P-Kanal 140 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 94 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. Min: 2 | TO-220 | 4 V | 1300 pF | 11 A | 117 mΩ | 140 W | Durchführungsloch | 100 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF9Z24NPBF MOSFET 1 P-Kanal 45 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 525 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. Min: 3 | TO-220AB | 4 V | 350 pF | 7.2 A | 175 mΩ | 45 W | Durchführungsloch | 55 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3006PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 80 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220AB | 4 V | 8970 pF | 170 A | 2.5 mΩ | 375 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF1010E MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 418 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. Min: 3 | TO-220 | 4 V | 3210 pF | 50 A | 12 mΩ | 200 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor FQP27P06 MOSFET 1 P-Kanal 120 W TO-220-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 159 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220-3 | 4 V | 1400 pF | 13.5 A | 70 mΩ | 120 W | Durchführungsloch | 60 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP460APBF MOSFET 1 N-Kanal 280 W TO-247Conrad Electronic zzgl. MwSt. 81 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-247 | 4 V | 3100 pF | 12 A | 270 mΩ | 280 W | Durchführungsloch | 500 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor BUZ11-NR4941 MOSFET 1 N-Kanal 75 W TO-220-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 324 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. Min: 2 | TO-220-3 | 4 V | 2000 pF | 15 A | 40 mΩ | 75 W | Durchführungsloch | 50 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP4468PBF MOSFET 1 N-Kanal 520 W TO-247ACConrad Electronic zzgl. MwSt. 17 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-247AC | 4 V | 19860 pF | 180 A | 2.6 mΩ | 520 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP80NF10 MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 46 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220AB | 4 V | 5500 pF | 40 A | 15 mΩ | 300 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 6 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. Min: 3 | TO-252AA | - | - | - | 0.065 Ω | 110 W | Durchführungsloch | - | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF1405PBF MOSFET 1 N-Kanal 330 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 559 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220 | 4 V | 5480 pF | 101 A | 5.3 mΩ | 330 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 34 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-252AA | - | - | - | 0.48 Ω | 40 W | Durchführungsloch | - | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3077PBF MOSFET 1 N-Kanal 370 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 182 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220AB | 4 V | 9400 pF | 75 A | 3.3 mΩ | 370 W | Durchführungsloch | 75 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLU024NPBF MOSFET 1 N-Kanal 45 W TO-251-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 35 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. Min: 3 | TO-251-3 | 2 V | 480 pF | 10 A | 65 mΩ | 45 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP3710PBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-247-3Conrad Electronic -33% zzgl. MwSt. 98 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-247-3 | 4 V | 3000 pF | 28 A | 25 mΩ | 200 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFZ24NPBF MOSFET 1 N-Kanal 45 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 236 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. Min: 3 | TO-220 | 4 V | 370 pF | 10 A | 70 mΩ | 45 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP260NPBF MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-247-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 158 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-247-3 | 4 V | 4057 pF | 28 A | 40 mΩ | 300 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF1324PBF MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 188 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220AB | 4 V | 7590 pF | 195 A | 1.5 mΩ | 300 W | Durchführungsloch | 24 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFB9N60APBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 91 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220 | 4 V | 1400 pF | 5.5 A | 750 mΩ | 170 W | Durchführungsloch | 600 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF840PBF MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 180 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220 | 4 V | 1300 pF | 4.8 A | 850 mΩ | 125 W | Durchführungsloch | 500 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF840APBF MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 105 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220AB | 4 V | 1018 pF | 4.8 A | 850 mΩ | 125 W | Durchführungsloch | 500 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3607PBF MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 18 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220AB | 4 V | 3070 pF | 46 A | 9 mΩ | 140 W | Durchführungsloch | 75 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRL3705NPBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 310 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220 | 2 V | 3600 pF | 46 A | 10 mΩ | 170 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF520NPBF MOSFET 1 N-Kanal 48 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 2120 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. Min: 3 | TO-220 | 4 V | 330 pF | 5.7 A | 200 mΩ | 48 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB7437PBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 90 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220 | 3.9 V | 7330 pF | 100 A | 2 mΩ | 230 W | Durchführungsloch | 40 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3207ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 5 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220AB | 4 V | 6920 pF | 75 A | 4.1 mΩ | 300 W | Durchführungsloch | 75 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF9530NPBF MOSFET 1 P-Kanal 79 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 95 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. Min: 3 | TO-220 | 4 V | 760 pF | 8.4 A | 200 mΩ | 79 W | Durchführungsloch | 100 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF540PBF MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 240 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. Min: 2 | TO-220AB | 4 V | 1700 pF | 17 A | 77 mΩ | 150 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB7545PBF MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 1450 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220AB | 3.7 V | 4010 pF | 57 A | 5.9 mΩ | 125 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3806PBF MOSFET 1 N-Kanal 71 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 280 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220AB | 4 V | 1150 pF | 25 A | 15.8 mΩ | 71 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP40NF10L MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 130 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220 | - | - | - | 0.033 Ω | 150 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies SPP20N60C3 MOSFET 1 N-Kanal 208 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 598 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220 | - | - | - | 0.19 Ω | 208 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF540NPBF MOSFET 1 N-Kanal 130 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 641 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220 | 4 V | 1960 pF | 16 A | 44 mΩ | 130 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP3077PBF MOSFET 1 N-Kanal 340 W TO-247ACConrad Electronic zzgl. MwSt. 47 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-247AC | 4 V | 9400 pF | 75 A | 3.3 mΩ | 340 W | Durchführungsloch | 75 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP26NM60N MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 24 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220 | - | - | - | 0.165 Ω | 140 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich zzgl. MwSt. 5335 Stück auf Lager Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 10 | TO-220AB | 20 V | 3247 pF | 110 A | 0.008 Ω | 200 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | RoHS | Tube | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF9520PBF MOSFET 1 P-Kanal 60 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 144 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. Min: 3 | TO-220AB | 4 V | 390 pF | 4.1 A | 600 mΩ | 60 W | Durchführungsloch | 100 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF640NPBF MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 16 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220 | 4 V | 1160 pF | 11 A | 150 mΩ | 150 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor 2N7000TA MOSFET 1 N-Kanal 400 mW TO-92-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 1832 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. Min: 15 | TO-92-3 | 3 V | 50 pF | 500 mA | 5 Ω | 400 mW | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich zzgl. MwSt. 1350 Stück auf Lager Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 10 | TO-220AB | 20 V | 920 pF | 17 A | 0.09 Ω | 70 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | RoHS | Tube | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics IRF630 MOSFET 1 N-Kanal 75 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 19 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. Min: 3 | TO-220AB | 4 V | 700 pF | 4.5 A | 400 mΩ | 75 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLB3813PBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 79 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220AB | 2.35 V | 8420 pF | 60 A | 1.95 mΩ | 230 W | Durchführungsloch | 30 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF510PBF MOSFET 1 N-Kanal 43 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 147 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220 | 4 V | 180 pF | 3.4 A | 540 mΩ | 43 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor FQP47P06 MOSFET 1 P-Kanal 160 W TO-220-3Conrad Electronic zzgl. MwSt. 75 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220-3 | 4 V | 3600 pF | 23.5 A | 26 mΩ | 160 W | Durchführungsloch | 60 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF1310NPBF MOSFET 1 N-Kanal 160 W TO-220ABConrad Electronic 0,56 € zzgl. MwSt. 72 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220AB | 4 V | 1900 pF | 22 A | 36 mΩ | 160 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF9510PBF MOSFET 1 P-Kanal 43 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 147 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. Min: 3 | TO-220 | 4 V | 200 pF | 2.4 A | 1.2 Ω | 43 W | Durchführungsloch | 100 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF740PBF MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 4 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220 | 4 V | 1400 pF | 6 A | 550 mΩ | 125 W | Durchführungsloch | 400 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF2804PBF MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 64 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220AB | 4 V | 6450 pF | 75 A | 2.3 mΩ | 300 W | Durchführungsloch | 40 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich ON Semiconductor RFP12N10L MOSFET 1 N-Kanal 60 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 614 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220AB | 2 V | 900 pF | 12 A | 200 mΩ | 60 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF830PBF MOSFET 1 N-Kanal 74 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 104 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220AB | 4 V | 610 pF | 2.7 A | 1.5 Ω | 74 W | Durchführungsloch | 500 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP9240 MOSFET 1 P-Kanal 150 W TO-247Conrad Electronic zzgl. MwSt. 370 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-247 | 4 V | 1200 pF | 7.2 A | 500 mΩ | 150 W | Durchführungsloch | 200 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP60NF06L MOSFET 1 N-Kanal 110 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 740 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220 | - | - | - | 0.014 Ω | 110 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP240 MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-247Conrad Electronic -52% zzgl. MwSt. Bald verfügbar | TO-247 | 4 V | 1300 pF | 12 A | 180 mΩ | 150 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRLB8743PBF MOSFET 1 N-Kanal 140 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 66 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220AB | 2.35 V | 5110 pF | 40 A | 3.2 mΩ | 140 W | Durchführungsloch | 30 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich zzgl. MwSt. 1556 Stück auf Lager Lieferung Mi., 9. Sep. Min: 10 | TO-220 | 20 V | 315 pF | 16 A | 0.1 Ω | 45 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | RoHS | Tube | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics VNP35N07-E MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. Bald verfügbar | TO-220 | - | - | - | 0.035 Ω | 125 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF5305PBF MOSFET 1 P-Kanal 110 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 23 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220AB | 4 V | 1200 pF | 16 A | 60 mΩ | 110 W | Durchführungsloch | 55 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF9640PBF MOSFET 1 P-Kanal 125 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 393 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220 | 4 V | 1200 pF | 6.6 A | 500 mΩ | 125 W | Durchführungsloch | 200 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFP460PBF MOSFET 1 N-Kanal 280 W TO-247Conrad Electronic zzgl. MwSt. 242 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-247 | 4 V | 4200 pF | 12 A | 270 mΩ | 280 W | Durchführungsloch | 500 V | N-Kanal | - | - | |||
zzgl. MwSt. 334 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. Min: 3 | TO-252AA | - | - | - | 0.11 Ω | 45 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP064NPBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-247Conrad Electronic zzgl. MwSt. 130 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-247 | 4 V | 4000 pF | 59 A | 8 mΩ | 200 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRF9540PBF MOSFET 1 P-Kanal 150 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 8 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220AB | 4 V | 1400 pF | 11 A | 200 mΩ | 150 W | Durchführungsloch | 100 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB4227PBF MOSFET 1 N-Kanal 330 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 68 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220AB | 5 V | 4600 pF | 46 A | 24 mΩ | 330 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF1404ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 200 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 105 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220AB | 4 V | 4340 pF | 75 A | 3.7 mΩ | 200 W | Durchführungsloch | 40 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB7446PBF MOSFET 1 N-Kanal 99 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 6 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220 | 3.9 V | 3183 pF | 70 A | 3.3 mΩ | 99 W | Durchführungsloch | 40 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IPW65R045C7 MOSFET 1 N-Kanal 227 W TO-247Conrad Electronic 10,08 € zzgl. MwSt. 29 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-247 | - | - | - | 0.045 Ω | 227 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB7434PBF MOSFET 1 N-Kanal 294 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 24 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220 | 3.9 V | 10820 pF | 100 A | 1.6 mΩ | 294 W | Durchführungsloch | 40 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies SPW20N60S5 MOSFET 1 N-Kanal 208 W TO-247Conrad Electronic zzgl. MwSt. 252 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-247 | 5.5 V | 3000 pF | 13 A | 190 mΩ | 208 W | Durchführungsloch | 600 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3307ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 85 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220AB | 4 V | 4750 pF | 75 A | 5.8 mΩ | 230 W | Durchführungsloch | 75 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFZ44PBF MOSFET 1 N-Kanal 150 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 41 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220AB | 4 V | 1900 pF | 31 A | 28 mΩ | 150 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP60NF06 MOSFETDescrizioneConrad Electronic zzgl. MwSt. 530 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220 | - | - | - | 0.016 Ω | 110 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IPP60R190C6 MOSFET 1 N-Kanal 151 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. Lieferung Mi., 23. Dez. | TO-220 | - | - | - | 0.19 Ω | 151 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP9140NPBF MOSFET 1 P-Kanal 140 W TO-247Conrad Electronic zzgl. MwSt. 250 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-247 | 4 V | 1300 pF | 13 A | 117 mΩ | 140 W | Durchführungsloch | 100 V | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF3205ZPBF MOSFET 1 N-Kanal 170 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 193 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220AB | 4 V | 3450 pF | 66 A | 6.5 mΩ | 170 W | Durchführungsloch | 55 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich STMicroelectronics STP30NF10 MOSFET 1 N-Kanal 115 W TO-220Conrad Electronic zzgl. MwSt. 1410 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. Min: 10Vielfache: 10 | TO-220 | - | - | - | 0.045 Ω | 115 W | Durchführungsloch | - | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRF9Z34NPBF MOSFET 1 P-Kanal 68 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 15 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. Min: 3 | TO-220AB | - | - | - | 0.1 Ω | 68 W | Durchführungsloch | - | P-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB3306PBF MOSFET 1 N-Kanal 230 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 70 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220AB | 4 V | 4520 pF | 75 A | 4.2 mΩ | 230 W | Durchführungsloch | 60 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFB4610PBF MOSFET 1 N-Kanal 190 W TO-220ABConrad Electronic zzgl. MwSt. 177 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220AB | 4 V | 3550 pF | 44 A | 14 mΩ | 190 W | Durchführungsloch | 100 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Infineon Technologies IRFP250NPBF MOSFET 1 N-Kanal 214 W TO-247Conrad Electronic zzgl. MwSt. 161 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-247 | 4 V | 2159 pF | 18 A | 75 mΩ | 214 W | Durchführungsloch | 200 V | N-Kanal | - | - | |||
 Abb. ähnlich Vishay IRFBG30PBF MOSFET 1 N-Kanal 125 W TO-220Conrad Electronic -33% zzgl. MwSt. 130 Stück auf Lager Sofort-Lieferung Di., 8. Sep. | TO-220 | 4 V | 980 pF | 1.9 A | 5 Ω | 125 W | Durchführungsloch | 1000 V | N-Kanal | - | - | |||
Ratgeber
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren – kurz MOSFETs – sind die bei weitem häufigsten Transistoren in digitalen Schaltungen. Da sie sich enorm verkleinern lassen, finden sie sich in riesigen Mengen in Speicherchips oder Mikroprozessoren. So enthält beispielsweise ein moderner DDR4-Speicherriegel mit 128 Gigabyte Kapazität über 137 Milliarden Transistoren.
Erfahren Sie hier, wie MOSFETS aufgebaut sind, wie sie funktionieren und für welche Einsatzzwecke sie geeignet sind.
Ihre Fähigkeit, die Leitfähigkeit mit der Höhe der angelegten Spannung zu ändern, lässt sich zur Verstärkung oder zum Schalten von elektronischen Signalen nutzen.
Letztlich ist der unipolare MOSFET ein über die Spannung steuerbarer Widerstand. Im Vergleich zu einem Bipolartransistor benötigt er fast keinen Eingangsstrom zur Steuerung des Laststroms, einer der größten Vorteile dieses Bauelements.
Die Bezeichnung "Metall-Oxid-Halbleiter" beziehungsweise „metal-oxid-semiconductor“ (MOS) bezieht sich typischerweise auf ein Metall-Gate, eine Oxid-Isolation und einen Halbleiter, in der Regel Silizium.
Das Metall in MOSFET ist jedoch heutzutage oft irreführend, da das Gate-Material ebenso eine Schicht aus Polysilizium (polykristallines Silizium) sein kann.
Neben Oxid lassen sich auch verschiedene dielektrische Materialien verwenden, um effiziente Kanäle bei kleineren angelegten Spannungen zu erhalten. Der MOS-Kondensator ist ebenfalls ein Teil dieser Struktur.
MOSFETs sind entweder Teil integrierter MOS-Schaltkreis-Chips oder diskrete Bauteile. Möglich sind zudem Single-Gate- oder Multi-Gate-Ausführungen.
Da alle entweder dem p-Typ- oder dem n-Typ-Halbleitern entsprechen, lassen sich komplementäre Paare für Schaltkreise mit sehr geringem Stromverbrauch herstellen.
Produziert werden MOSFETs in zwei Varianten: als „normal leitend“ – der sogenannte Verarmungstyp – und als normal sperrend – der Anreicherungstyp.
Allen Typen gemeinsam sind die drei Anschlüsse „S“ für Source, „D“ für Drain“ und „G“ für Gate, im Deutschen entsprechend Quelle, Abfluss und Steueranschluss.
Ein MOSFET beruht auf der Steuerung der Ladungsträgerkonzentration über einen MOS-Kondensator zwischen den Substratelektroden und dem Gate. Das Gate befindet sich auf der Oberseite des Substrats und ist von allen anderen Bereichen des Bauelements durch eine dielektrische Schicht isoliert, zum Beispiel durch Siliziumdioxid. Werden andere dielektrische Materialien als Oxide verwendet, spricht man von einem Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor, kurz MISFET. Eingebürgert hat sich außerdem die für alle Typen geltende Abkürzung IGFET für einen Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate.
Im Vergleich zum reinen MOS-Kondensator enthält der MOSFET die beiden zusätzlichen Anschlüsse Source und Drain, die jeweils mit hochdotierten Bereichen verbunden sind, getrennt durch den Substratbereich. Diese Bereiche können entweder vom p-Typ oder vom n-Typ sein. Source und Drain sind stark dotiert und werden in der Notation durch ein '+'-Zeichen hinter dem Dotierungstyp angegeben.
Wenn es sich bei dem IGFET um einen n-Kanal handelt, sind die Dotierungsbereiche für Source und Drain "n+"-Bereiche und das Substrat ist ein "p"-Typ-Bereich.
Beim p-Kanal sind die Dotierungsbereiche für Source und Drain "p+"-Bereiche und das Substrat ist ein "n"-Typ-Bereich. Der Source-Anschluss wird so genannt, weil er den Ursprung der Ladungsträger bildet, die durch den Kanal fließen. Analog dazu ist der Drain der Punkt, an dem die Ladungsträger den Kanal verlassen.
Beim Anlegen einer negativen Gate-Source-Spannung entsteht auf einer n-Typ-Substratoberfläche ein p-Typ-Kanal, analog zum n-Kanal, jedoch mit entgegengesetzten Polaritäten der Ladungen und Spannungen.
Ist die Spannung kleiner als die Schwellenspannung, verschwindet der Kanal und es kann nur ein kleiner Unterschwellenstrom zwischen Drain und Source fließen.
FAQ – häufig gestellte Fragen
In welchen Gehäuseformen und für welche Montagearten gibt es IGFETs?
Diese Bauteile gibt es sowohl mit Lötanschlüssen als auch für die SMD-Montage direkt auf der Platine. Einige Typen besitzen Durchführungslöcher für Schrauben und das Anbringen von Kühlkörpern.
Für welchen maximalen Temperaturbereich sind MOSFETs ausgelegt?
Gängige Maxima reichen von 125 bis zu 225 Grad Celsius.
Was ist der Unterschied zwischen einem Transistor und einem Feldeffekttransistor?
Letztlich gehören beide zur Gruppe der Transistoren und können als Schalter oder Verstärker eingesetzt werden. Feldeffekttransistoren arbeiten im Gegensatz zu Transistoren mit einer Steuerspannung beziehungsweise einem elektrischen Feld, ein Steuerstrom fließt dabei nicht. Außerdem lassen sich Feldeffekttransistoren auch für Wechselstromverstärkung einsetzen, bei bipolaren Transistoren ist das nicht möglich.