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Highlights & Details
- Eigenschaften von Halbleiterelementen: sensitive gate
Technische Daten
- Typ
GH1_2669818
- Hersteller
Verschiedene Hersteller
- Inhalt
1 St.
Beschreibung
25A D2PAK Ifsm: 190A 3Q,Hi-Com Igt: 50mA 800V Triac
Triac; 800V; 25A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 190A; 3Q,Hi-Com
Eigenschaften von Halbleiterelementen: sensitive gate
Gatestrom: 50mA
Gehäuse: D2PAK
Montage: SMD
Rückspannung max.: 0,8kV
Strom im max. Impuls: 190A
Typ des Thyristors: Triac
Verpackungs-Art: Rolle
Vorwärtsstrom max.: 25A
BTA225B-800B.118
Triac; 800V; 25A; D2PAK; Igt: 50mA; Ifsm: 190A; 3Q,Hi-Com
Eigenschaften von Halbleiterelementen: sensitive gate
Gatestrom: 50mA
Gehäuse: D2PAK
Montage: SMD
Rückspannung max.: 0,8kV
Strom im max. Impuls: 190A
Typ des Thyristors: Triac
Verpackungs-Art: Rolle
Vorwärtsstrom max.: 25A
BTA225B-800B.118