2SB772 TO126 TRANSISTOR PNP THT Renesas
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Verpackungsart
Tape and Reel
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-126
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
-3 A
Datenblatt (PDF)
1126 Stück
Verkauf und Versand:
versandkostenfrei ab 500,00 € Bestellwert bei diesem Anbieter
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
50
-
0,28 €
200
43% = 0,12 €
0,16 €
400
54% = 0,15 €
0,13 €
600
57% = 0,16 €
0,12 €
2500
64% = 0,18 €
0,10 €
Mengenrabatte variieren je nach Verkäufer
Sie sparen 0,00 €
Anzahl
Min.: 50
Gesamt (0,28 € / Stück)
14,00 €
zzgl. MwSt.
3,00 €
Highlights & Details
- TRANSISTOR PNP
- RoHS konform: Ja
- Herstellerverpackungseinheit: 200 Stück
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Kollektor-Base-Spannung: -40 VKollektor-Emitter-Spannung: -30 VErmitter-Base-Spannung: -5 VIC max. Kollektorstrom: -3 AVerlustleistung @ Tc = 25 °C: 10 WVerlustleistung @ Ta = 25 °C: 1 WBetriebstemperatur: -55 - 150 °CKlassifikation: 160-320
- Verpackungsart
Tape and Reel
- Typ
2SB772
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-126
- Hersteller
Renesas
- Ausführung
PNP
- Collector-Strom I(C)
-3 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-30 V
- Leistung (max) P(TOT)
10 W
- Montageart
Durchsteckmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 844029548 2SB772 TO126 TRANSISTOR PNP THT Renesas
Beschreibung
Kollektor-Base-Spannung: -40 V
Kollektor-Emitter-Spannung: -30 V
Ermitter-Base-Spannung: -5 V
IC max. Kollektorstrom: -3 A
Verlustleistung @ Tc = 25 °C: 10 W
Verlustleistung @ Ta = 25 °C: 1 W
Betriebstemperatur: -55 - 150 °C
Klassifikation: 160-320