2SJ162 TO-3P SILICON P-CHANNEL MOSFET THT Renesas
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Bestell-Nr.:
Verpackungsart
Tube
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-3P
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
100 W
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Highlights & Details
- SILICON P-CHANNEL MOSFET
- RoHS konform: Ja
- Herstellerverpackungseinheit: 30 Stück
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Technische Daten
- Details: Low frequency power amplifierDrain-Source-Spannung: -160 VGate-Source-Spannung: +/- 15 VDrainstrom: -7 AVerlustleistung @ Tc = 25 °C: 100 WBetriebstemperatur: -55 - 150 °C
- Verpackungsart
Tube
- Typ
2SJ162 Mosfet
MOS-P-FET-e, V-MOS, 160V, 7A, 100W 230/110ns
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-3P
- Hersteller
Renesas
- Herst.-Abk.
REN
- Ausführung
P-Kanal
- I(d)
-7 A
- Leistung (max) P(TOT)
100 W
- R(DS)(on) Referenz-Strom
-7 A
- U(GS)(th) max.
15 V
- C(ISS)
900 pF
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchsteckmontage
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- U(DSS)
-160 V
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
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Datenblatt
Datenblatt 844035988 2SJ162 TO-3P SILICON P-CHANNEL MOSFET THT Renesas
Beschreibung
Details: Low frequency power amplifier
Drain-Source-Spannung: -160 V
Gate-Source-Spannung: +/- 15 V
Drainstrom: -7 A
Verlustleistung @ Tc = 25 °C: 100 W
Betriebstemperatur: -55 - 150 °C