2SJ306 TO220 ISOLIERT SILICON P-CHANNEL MOSFET THT SANYO
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Verpackungsart
Tube
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
2 W
Datenblatt (PDF)
208 Stück
Verkauf und Versand:
versandkostenfrei ab 500,00 € Bestellwert bei diesem Anbieter
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
6
-
1,74 €
25
52% = 0,91 €
0,83 €
50
62% = 1,08 €
0,66 €
250
70% = 1,22 €
0,52 €
500
73% = 1,27 €
0,47 €
Mengenrabatte variieren je nach Verkäufer
Sie sparen 0,00 €
Anzahl
Min.: 6
Gesamt (1,74 € / Stück)
10,44 €
zzgl. MwSt.
3,00 €
Highlights & Details
- SILICON P-CHANNEL MOSFET
- RoHS konform:
- Herstellerverpackungseinheit: 1 Stück
Technische Daten
- Details: Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsDrain-Source-Spannung: -250 VGate-Source-Spannung: +/- 30 VDrainstrom: -3 AGate-Leckstrom: - 10 µAVerlustleistung @ Tc = 25 °C: 25 WVerlustleistung @ Ta = 25 °C: 2 WBetriebstemperatur: -55 - 150 °C
- Verpackungsart
Tube
- Typ
2SJ306
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220
- Hersteller
Sanyo
- Ausführung
P-Kanal
- I(d)
-3 A
- Leistung (max) P(TOT)
2 W
- R(DS)(on)
1.5 Ω
- R(DS)(on) Referenz-Strom
-3 A
- U(GS)(th) max.
30 V
- C(ISS)
600 pF
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchsteckmontage
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- U(DSS)
-250 V
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 844808071 2SJ306 TO220 ISOLIERT SILICON P-CHANNEL MOSFET THT SANYO
Beschreibung
Details: Ultrahigh-Speed Switching Applications
Drain-Source-Spannung: -250 V
Gate-Source-Spannung: +/- 30 V
Drainstrom: -3 A
Gate-Leckstrom: - 10 µA
Verlustleistung @ Tc = 25 °C: 25 W
Verlustleistung @ Ta = 25 °C: 2 W
Betriebstemperatur: -55 - 150 °C