Abbildung ähnlich
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Diotec DI050P02PT MOSFET P-Kanal 35.7 W PowerQFN 3x3
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
PowerQFN 3x3
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
35.7 W
R(DS)(on) Referenz-Strom
-15 A
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Highlights & Details
MOSFET, PowerQFN 3x3, -20V, -50A, 150°C, P
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Technische Daten
- Typ: SMD
- Gehäuse: PowerQFN 3x3
- Drain-Source-Spannung - VDS: -20 V
- Drainstrom - ID: -50.000 A
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Polarität - pol: P
- Verlustleistung - Ptot: 35.700 W
- Drain-Spitzenstrom - IDM: -180.000 A
- Schwellspannung - VGSth: -1.0 V
- Einschaltwiderstand - RDSon: 0.0100 Ω
- ID: -15 A
- VGS: -10 V
- Einschaltzeit - ton: 95 ns
- Ausschaltzeit - toff: 46 ns
- Typ
DI050P02PT
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
PowerQFN 3x3
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
P-Kanal
- I(d)
-50 A
- Leistung (max) P(TOT)
35.7 W
- R(DS)(on) Referenz-Strom
-15 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
-10 V
- U(GS)(th) max.
-1.0 V
- Montageart
Oberflächenmontage
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- U(DSS)
-20 V
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2809587 Diotec DI050P02PT MOSFET P-Kanal 35.7 W PowerQFN 3x3
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809587 Diotec DI050P02PT MOSFET P-Kanal 35.7 W PowerQFN 3x3