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Diotec ESD Diode ESD9L1P8 DFN1006-2 2.20 V 80 W
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Diode
Gehäuse
DFN1006-2
Sperrspannung U(R)
1.8 V
Anwendungsbereich
ESD
Leistung (max) P(TOT)
80 W
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
100
-
0,02914 €
300
9% = 0,00 €
0,02649 €
500
12% = 0,00 €
0,02561 €
1000
15% = 0,00 €
0,02472 €
2000
17% = 0,00 €
0,02428 €
4000
20% = 0,01 €
0,02339 €
10000
23% = 0,01 €
0,02250 €
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Min.: 100
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Highlights & Details
ESD Diode, DFN1006-2, 125°C, 80W, Unidir
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ: SMD
- Gehäuse: DFN1006-2
- Abbruch Spannung - VBRmin: 2.20 V
- VBRmax: V
- IT: 1 mA
- Impuls Verlustleistung - PPPM: 80 W
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 125 °C
- Sperrspannung - VWM: 1.8 V
- Maximaler Sperrstrom - ID @ VWM: 0.050 µA
- Maximale Begrenzerspannung - VC: 7.50 V
- IPPM: 11.00 A
- Sperrschicht Kapazität - Cj: 30 pF
- VR: 0 V
- Typ
ESD9L1P8
- Produkt-Art
Diode
- Gehäuse
DFN1006-2
- Hersteller
Diotec
- Herst.-Abk.
DIO
- Sperrspannung U(R)
1.8 V
- Durchbruchspannung U(BR)
2.20 V
- Spitzenstrom I(pp)
11.00 A
- Anwendungsbereich
ESD
- Leistung (max) P(TOT)
80 W
- Diodenkapazität C(D)
30 pF
- Montageart
Oberflächenmontage
- RoHS-konform
Ja
- Betriebstemperatur (max.)
125 °C
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2807757 Diotec ESD Diode ESD9L1P8 DFN1006-2 2.20 V 80 W
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2807757 Diotec ESD Diode ESD9L1P8 DFN1006-2 2.20 V 80 W