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Conrad

Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N2222A TO-92 NPN

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Abbildung ähnlich
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-92
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
600 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
40 V
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Highlights & Details

BJT, TO-92, 40V, 600mA, NPN

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Technische Daten

  • Typ: Wire-lead
  • Gehäuse: TO-92
  • Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 40 V
  • DC Kollektorstrom - IC: 600 mA
  • Polarität - pol: NPN
  • Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
  • Verlustleistung - Ptot: 0.625 W
  • Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 100
  • VCE: 10 V
  • IC: 150 mA
  • Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 300 mV
  • IC: 150 mA
  • IB: 15 mA
  • Transitfrequenz - ft: 250 MHz
  • IC: 20 mA
  • VCE: 20 V
  • f: 100 MHz
Typ

2N2222A

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-92

Hersteller

Diotec

Ausführung

NPN

Collector-Strom I(C)

600 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

40 V

VCE Sättigung (max.)

300 mV

Leistung (max) P(TOT)

0.625 W

DC Stromverstärkung (hFE)

100

Transitfrequenz f(T)

100 MHz

Montageart

Durchsteckmontage

RoHS-konform

Ja

Inhalt

1 St.

Betriebstemperatur (max.)

150 °C

UKCA

Ja

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 2808991 Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N2222A TO-92 NPN

Beschreibung

Bipolarer Transistor, Typ=2N2222A, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=6 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=200, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=40 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=75 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=300 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=600 mA, Leistungsverteilung (PV)=625 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=250 MHz, Bauform=TO-92, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Gurtware

Zubehör

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