Name: Diotec Transistor (BJT) - diskret BC327-25 TO-92 PNP
Brand: Diotec
SKU: 2809143
Availability: InStock

Ein Transistor im TO-92-Gehäuse mit drei Anschlüssen ist abgebildet.

Abbildung ähnlich

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-92

Ausführung

PNP

Collector-Strom I(C)

800 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

45 V

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Highlights & Details

BJT, TO-92, 45V, 800mA, PNP

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Technische Daten

Typ: Wire-lead
Gehäuse: TO-92
Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 45 V
DC Kollektorstrom - IC: 800 mA
Polarität - pol: PNP
Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
Verlustleistung - Ptot: 0.625 W
Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 250
VCE: 1 V
IC: 100 mA
Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 700 mV
IC: 500 mA
IB: 50 mA
Transitfrequenz - ft: 100 MHz
IC: 10 mA
VCE: 5 V
f: 50 MHz

Typ: BC327-25

Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse: TO-92

Hersteller: Diotec

Ausführung: PNP

Collector-Strom I(C): 800 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 45 V

VCE Sättigung (max.): 700 mV

Leistung (max) P(TOT): 0.625 W

DC Stromverstärkung (hFE): 250

Transitfrequenz f(T): 50 MHz

Montageart: Durchsteckmontage

RoHS-konform: Ja

Inhalt: 1 St.

Betriebstemperatur (max.): 150 °C

UKCA: Ja

Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 2809143 Diotec Transistor (BJT) - diskret BC327-25 TO-92 PNP

Beschreibung

Kleinleistungstransistor, Typ=BC327-25, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=-5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=250, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=-999, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=-45 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=-0.7 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=-800 mA, Leistungsverteilung (PV)=625 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=-999, Übergangsfrequenz=100 MHz, Bauform=TO-92, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=PNP, Verpackung=Gurtware